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    多家碳化硅功率器件制造商與碳化硅晶圓供應商簽署協(xié)議解決供應問題[ 06-02 17:10 ]
    生長碳化硅晶體是一個漫長而困難的過程,而且制造高質(zhì)量和大面積的碳化硅晶圓仍然很昂貴,因此能夠提供此類晶圓的公司數(shù)量非常有限。為了緩解這兩個問題,主要的碳化硅功率器件制造商都已與多家碳化硅晶圓供應商(如英飛凌與Wolfspeed和ShowaDenko、ST與Wolfspeed和SiCrystal)簽署了LTSA,和/或通過收購碳化硅材料供應商實現(xiàn)襯底自供,采用了垂直整合模式(例如,ST收購Norstel、羅姆收購SiCrystal、安森美收購GTAT),重塑了碳化硅生態(tài)系統(tǒng)。 此外,越來越多的碳化硅晶圓供應商正
    電動汽車推動下碳化硅現(xiàn)大格局[ 06-01 17:05 ]
    據(jù)與非網(wǎng)eefocus介紹:Knowmade近日發(fā)布了一份新的碳化硅(SiC)知識產(chǎn)權(quán)(IP)報告,分析師選擇并分析了500多個不同實體提交的13,700多個專利族(發(fā)明),從專利格局的角度對碳化硅的競爭、技術(shù)發(fā)展和進行了全面分析,涵蓋碳化硅晶錠和外延、襯底到碳化硅器件、模塊和電路。 YoleDédevelopement最近預測,未來幾年碳化硅功率器件市場將達到數(shù)十億美元,2027年將超過60億美元,2021-2027年預計復合年增長率為34%。但碳化硅晶圓業(yè)務的進入壁壘非常高,目前能夠為功率器
    全球碳化硅外延片需求發(fā)展及外延競爭格局[ 05-31 14:59 ]
      根據(jù)Yole提供碳化硅外延片市場需求數(shù)據(jù),現(xiàn)在的市場已從4英寸向6英寸轉(zhuǎn)變,從2019年開始,6英寸的需求已經(jīng)遠超4英寸的需求。當前外延主要以4英寸及6英寸為主,往后大尺寸碳化硅外延片占比會逐年遞增。雖然當前國際先進廠商已經(jīng)研發(fā)出8英寸碳化硅襯底,但其進入碳化硅功率器件制造市場將是一個漫長的過程。 在全球外延廠商市場格局中,頭部企業(yè)主要有Wolfspeed(Cree)、DowCorning、II-VI、Norstel、ROHM、三菱電機、Infineon等,其多數(shù)是IDM公司,CR7占據(jù)市
    全球碳化硅器件市場規(guī)模及外延所占成本結(jié)構(gòu)[ 05-30 15:56 ]
      根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院提供數(shù)據(jù),2018年和2021年碳化硅功率器件市場規(guī)模分別約4億和9.3億美元,復合增速約32.4%,按照該復合增速,預計2022年碳化硅功率器件市場規(guī)模約10.9億美元。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展,碳化硅器件市場規(guī)模增速可觀。 從碳化硅器件的制造成本結(jié)構(gòu)來看,襯底成本最大,占比達47%;其次是外延成本,占比為23%。這兩大工序是碳化硅器件的重要組成部分。
    碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的“中堅力量”:外延生長[ 05-28 15:42 ]
    碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底制備、外延生長、器件制造、模塊封測和系統(tǒng)應用等幾個重要的環(huán)節(jié)。碳化硅器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同,無法直接在碳化硅單晶材料上制備,需在導通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料,并在外延層上制造各類器件。外延生長作為承上啟下的重要環(huán)節(jié),是產(chǎn)業(yè)鏈的中堅力量。 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底制備、外延生長、器件制造、模塊封測和系統(tǒng)應用等幾個重要的環(huán)節(jié)。碳化硅器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同,無法直接在碳化硅單晶材料上制備,需在導通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料,并在外延層上制造各
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