生長(zhǎng)碳化硅晶體是一個(gè)漫長(zhǎng)而困難的過程，而且制造高質(zhì)量和大面積的碳化硅晶圓仍然很昂貴，因此能夠提供此類晶圓的公司數(shù)量非常有限。為了緩解這兩個(gè)問題，主要的碳化硅功率器件制造商都已與多家碳化硅晶圓供應(yīng)商（如英飛凌與Wolfspeed和ShowaDenko、ST與Wolfspeed和SiCrystal）簽署了LTSA，和/或通過收購碳化硅材料供應(yīng)商實(shí)現(xiàn)襯底自供，采用了垂直整合模式（例如，ST收購Norstel、羅姆收購SiCrystal、安森美收購GTAT），重塑了碳化硅生態(tài)系統(tǒng)。

此外，越來越多的碳化硅晶圓供應(yīng)商正在開發(fā)200mm碳化硅晶圓的技術(shù)，意法半導(dǎo)體曾表示，首批200mm碳化硅晶圓質(zhì)量上乘，影響芯片良率、晶體位錯(cuò)的缺陷非常少。與150mm晶圓相比，200mm晶圓可增加產(chǎn)能，可用面積擴(kuò)大幾乎一倍，良率則可增加80-90％。這代表了一種中期或長(zhǎng)期解決方案。一些制造商正在對(duì)200mm碳化硅晶圓進(jìn)行送樣，包括Wolfspeed、II-VI、SiCrystal、ST、GTAT、SKSiltron的美國(guó)子公司SKSiltronCSS。

與此同時(shí)，幾家公司也在開發(fā)顛覆性技術(shù)以解決成本和供應(yīng)問題，目前已進(jìn)入碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的有：Siltectra、Disco的激光切割/減薄技術(shù)；Soitec的SmartCutTM碳化硅工程襯底和SumitomoMetalMining（住友金屬礦業(yè)）的碳化硅激光退火設(shè)備。