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- 碳化硅寬禁帶半導體目前存在的問題[ 05-14 15:50 ]
- ①大尺寸SiC單晶襯底制備技術仍不成熟。 目前國際上已經開發(fā)出了8英寸SiC單晶樣品，單晶襯底尺寸仍然偏小、缺陷水平仍然偏高。并且缺乏更高效的SiC單晶襯底加工技術；p型襯底技術的研發(fā)較為滯后。 ②n型SiC外延生長技術有待進一步提高。 ③SiC功率器件的市場優(yōu)勢尚未完全形成，尚不能撼動目前硅功率半導體器件市場上的主體地位。 國際SiC器件領域：SiC功率器件向大容量方向發(fā)展受限制；SiC器件工藝技術水平比較低；缺乏統(tǒng)一的測試評價標準。 中國SiC功率器件領域存在以下3個方面差距：
- 碳化硅半導體產業(yè)鏈[ 05-13 16:42 ]
- 碳化硅半導體產業(yè)鏈主要包括“碳化硅高純粉料→單晶襯底→外延片→功率器件→模塊封裝→終端應用”等環(huán)節(jié)。 1碳化硅高純粉料 碳化硅高純粉料是采用PVT法生長碳化硅單晶的原料，其產品純度直接影響碳化硅單晶的生長質量以及電學性能。 碳化硅粉料有多種合成方式，主要有固相法、液相法和氣相法3種。其中，固相法包括碳熱還原法、自蔓延高溫合成法和機械粉碎法；液相法包括溶膠-凝膠法和聚合物熱分解法；氣相法包括化學氣相沉積法、等離子體法和激光誘導
- Soitec發(fā)布8英寸SiC襯底，拓展碳化硅產品組合[ 05-12 15:30 ]
- 據中國粉體網訊 Soitec近日發(fā)布了其首款200mm碳化硅SmartSiC™晶圓。這標志著Soitec公司的碳化硅產品組合已拓展至150mm以上，其SmartSiC™晶圓的研發(fā)水準再創(chuàng)新高，可滿足汽車市場不斷增長的需求。 首批200mmSmartSiC™襯底誕生于Soitec與CEA-Leti合作的襯底創(chuàng)新中心的先進試驗線，該中心位于格勒諾布爾。該批200mmSmartSiC襯底將會在關鍵客戶中進行首輪驗證，展示其質量及性能。 Soitec于2022年3月
- 中泰恒創(chuàng)攜手中匯環(huán)球投入100億美元開展碳化硅項目[ 05-11 16:26 ]
- 近日，中泰恒創(chuàng)科技有限公司與中匯環(huán)球集團有限公司就“拓展碳化硅SiC芯片市場”項目舉行簽約儀式。此次中泰恒創(chuàng)與中匯環(huán)球的合作主要聚焦于共同拓展碳化硅SiC芯片市場方向。 據悉，中匯環(huán)球為中泰恒創(chuàng)提供100億美元以上自主融合國際主權財富基金的參與和支持，主要支持中泰恒創(chuàng)在開發(fā)生產IGBT、SBD/MOSFET、BMS/PCS等新型產品，以及建立創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)產業(yè)園。 目前，中泰恒創(chuàng)已落地施行的半導體項目可分為三個階段，第一階段收益預計100億元，第二階段預計580億元，到第三階段完成，整
- 中科院物理研究所成功制備單一晶型8英寸SiC晶體[ 05-10 12:22 ]
- 近期，中科院物理研究所在寬禁帶半導體領域取得重要進展，研人員通過優(yōu)化生長工藝，進一步解決了多型相變問題，持續(xù)改善晶體結晶質量，成功生長出單一4H晶型的8英寸SiC晶體。 SiC器件的成本主要由襯底、外延、流片和封測等環(huán)節(jié)形成，襯底在SiC器件成本中占比高達約45%。進一步擴大SiC襯底尺寸，在單個襯底上增加器件的數量是降低成本的主要途徑。8英寸SiC襯底將比6英寸在成本降低上具有明顯優(yōu)勢。8英寸SiC晶體生長的難點在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來的溫場不均勻、氣相原料分布和輸運效率問題；另外
