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    電動汽車推動下碳化硅現(xiàn)大格局[ 06-01 17:05 ]
    據(jù)與非網(wǎng)eefocus介紹:Knowmade近日發(fā)布了一份新的碳化硅(SiC)知識產(chǎn)權(quán)(IP)報告,分析師選擇并分析了500多個不同實體提交的13,700多個專利族(發(fā)明),從專利格局的角度對碳化硅的競爭、技術(shù)發(fā)展和進行了全面分析,涵蓋碳化硅晶錠和外延、襯底到碳化硅器件、模塊和電路。 YoleDédevelopement最近預(yù)測,未來幾年碳化硅功率器件市場將達(dá)到數(shù)十億美元,2027年將超過60億美元,2021-2027年預(yù)計復(fù)合年增長率為34%。但碳化硅晶圓業(yè)務(wù)的進入壁壘非常高,目前能夠為功率器
    全球碳化硅外延片需求發(fā)展及外延競爭格局[ 05-31 14:59 ]
      根據(jù)Yole提供碳化硅外延片市場需求數(shù)據(jù),現(xiàn)在的市場已從4英寸向6英寸轉(zhuǎn)變,從2019年開始,6英寸的需求已經(jīng)遠(yuǎn)超4英寸的需求。當(dāng)前外延主要以4英寸及6英寸為主,往后大尺寸碳化硅外延片占比會逐年遞增。雖然當(dāng)前國際先進廠商已經(jīng)研發(fā)出8英寸碳化硅襯底,但其進入碳化硅功率器件制造市場將是一個漫長的過程。 在全球外延廠商市場格局中,頭部企業(yè)主要有Wolfspeed(Cree)、DowCorning、II-VI、Norstel、ROHM、三菱電機、Infineon等,其多數(shù)是IDM公司,CR7占據(jù)市
    全球碳化硅器件市場規(guī)模及外延所占成本結(jié)構(gòu)[ 05-30 15:56 ]
      根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院提供數(shù)據(jù),2018年和2021年碳化硅功率器件市場規(guī)模分別約4億和9.3億美元,復(fù)合增速約32.4%,按照該復(fù)合增速,預(yù)計2022年碳化硅功率器件市場規(guī)模約10.9億美元。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展,碳化硅器件市場規(guī)模增速可觀。 從碳化硅器件的制造成本結(jié)構(gòu)來看,襯底成本最大,占比達(dá)47%;其次是外延成本,占比為23%。這兩大工序是碳化硅器件的重要組成部分。
    碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的“中堅力量”:外延生長[ 05-28 15:42 ]
    碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底制備、外延生長、器件制造、模塊封測和系統(tǒng)應(yīng)用等幾個重要的環(huán)節(jié)。碳化硅器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同,無法直接在碳化硅單晶材料上制備,需在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料,并在外延層上制造各類器件。外延生長作為承上啟下的重要環(huán)節(jié),是產(chǎn)業(yè)鏈的中堅力量。 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底制備、外延生長、器件制造、模塊封測和系統(tǒng)應(yīng)用等幾個重要的環(huán)節(jié)。碳化硅器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同,無法直接在碳化硅單晶材料上制備,需在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料,并在外延層上制造各
    昭和電工(SDK)實施8英寸碳化硅晶圓技術(shù)開發(fā)9年計劃[ 05-27 16:39 ]
    據(jù)粉體圈消息:5月23日,昭和電工(SDK)提出的“8英寸SiC晶圓技術(shù)開發(fā)計劃”被日本新能源和工業(yè)技術(shù)開發(fā)組織(NEDO)選定為“綠色創(chuàng)新基金項目”。而就在今年3月,昭和電工剛剛宣布正式量產(chǎn)直徑6英寸(150mm)的碳化硅晶圓。 2020年10月,日本政府宣布其目標(biāo)是到2050年實現(xiàn)碳中和。能源、貿(mào)易和工業(yè)部(METI)為此設(shè)立2萬億日元的綠色創(chuàng)新基金,并由NEDO出面對創(chuàng)新進行相應(yīng)的投資。 作為獨立的SiC外延片供應(yīng)商,SDK為功率器件制造商提供Bes
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