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聯(lián)系金蒙新材料
- 日本IDM大廠羅姆SiC功率半導體計劃將產(chǎn)能增加6倍[ 06-20 17:27 ]
- 據(jù)粉體圈整理消息：近期，日本IDM大廠羅姆(Rohm)計劃2025年前，要將碳化硅(SiC)功率半導體的營收擴大至1000億日元以上。為此，羅姆最大將投資1700億日元使碳化硅功率半導體的產(chǎn)能在2025年時增加至2021年時的6倍。 羅姆6月8日在日本福岡縣筑后市舉行碳化硅功率半導體專用生產(chǎn)廠房啟用儀式。羅姆社長松本功表示，要以新廠房為起點，目標在2025年度成為全球市占龍頭。這也是日本半導體制造商首度在日本國內(nèi)建設碳化硅功率半導體的專用廠房。 據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》報道，目前羅姆在全球整體功率半導體市場市
- 藍海華騰、廣汽資本投資基本半導體 搶灘布局碳化硅百億市場[ 06-19 16:22 ]
- 6月7日,藍海華騰、廣汽資本、潤峽招贏等機構完成了對國內(nèi)第三代半導體碳化硅(SiC)功率器件企業(yè)——基本半導體的C2輪融資。本次投資意味著藍海華騰加緊開拓布局第三代半導體碳化硅器件領域，通過助力基本半導體在碳化硅功率器件上的研發(fā)進度以及制造基地的建設，共同加強雙方在新能源汽車市場的拓展。 公開資料顯示，藍海華騰于2016年在深交所創(chuàng)業(yè)板上市，是一家擁有完全自主知識產(chǎn)權，專業(yè)致力于新能源汽車驅動和工業(yè)自動化控制產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售以及整體方案解決的國家高新技術企業(yè)。 藍海華騰本次
- 德智新材投資2.5億半導體用碳化硅蝕刻環(huán)項目完成主體工程建設[ 06-17 17:19 ]
- 近日，在新馬工業(yè)園內(nèi)，湖南德智新材料有限公司半導體用碳化硅蝕刻環(huán)項目完成了主體工程建設，并預計在明年初投產(chǎn)，一項“卡脖子”的高精尖技術，即將在株洲順利實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。 SiC刻蝕環(huán)是半導體材料在等離子刻蝕環(huán)節(jié)中的關鍵耗材，在半導體芯片產(chǎn)業(yè)鏈上是一種不可或缺的重要材料。SiC刻蝕環(huán)對純度要求極高，因此只能采用CVD工藝進行生長SiC厚層塊體，隨后經(jīng)精密加工而制得，主要用于半導體刻蝕工藝的制備環(huán)節(jié)。長期以來，圍繞半導體及其配套材料的發(fā)展一直是我國生產(chǎn)制造中的薄弱環(huán)節(jié)，但因其技術壁壘高，長期被美
- 碳化硅陶瓷換熱器設計時要注意的問題[ 06-16 16:15 ]
- 碳化硅具有很高的導熱系數(shù)，同時其化學性能穩(wěn)定、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好，并具有優(yōu)異的抗熱震性。所以，碳化硅質材料是陶瓷換熱器的首選材料。碳化硅在水蒸氣、含氧氣氛中存在高溫氧化問題。含氧氣氛中，碳化硅在800℃以上開始被氧化，可形成一層SiO2保護膜，在溫度高于1200℃時該保護膜即軟化被沖蝕破壞，換熱元件壽命迅速縮短。這也是一般碳化硅換熱元件最高用到1200℃的原因。碳化硅與蒸汽自1000℃開始強烈反應，腐蝕生成的SiO2與水蒸氣發(fā)生揮發(fā)反應，生成氣態(tài)的Si(OH)4，不能形成保護膜。 因此在碳化硅換熱器設計
- 陶瓷換熱器對碳化硅材料的要求[ 06-15 17:14 ]
- 一般而言，無機非金屬陶瓷換熱器對碳化硅材料的要求可總結為六點，分別是： （1）抗熱震性能要好； （2）使用壽命要長，符合經(jīng)濟原則； （3）耐高溫性能強，使用溫度必須要＞1280℃； （4）蓄熱率以及導熱系數(shù)要高； （5）機械強度理想，即便是在高溫環(huán)境之后，依舊能夠保持常態(tài)； （6）耐化學腐蝕強，工業(yè)爐廢煙當中含有大量的SO2、CO2等腐蝕性強的化學物質，用于制作陶瓷換熱器的無機非金屬材料要求不能與其發(fā)生粉塵固熔反應。
