推薦產(chǎn)品
聯(lián)系金蒙新材料
- SiC外延生長(zhǎng)常見元素[ 04-18 16:40 ]
- SiC外延生長(zhǎng)：常見元素 襯底： •用于電力電子的4H多型 •當(dāng)前晶圓直徑150mm和200mm •定向4°離軸 •雙面拋光 •在晶片的硅面上生長(zhǎng)的外延 •需要對(duì)硅表面進(jìn)行仔細(xì)的化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)以減少缺陷 生長(zhǎng)參數(shù)： •溫度~1650oC •壓力~50-100mbar •硅源 •碳源 •摻雜氣體 •C
- SiC相對(duì)于Si器件的優(yōu)勢(shì)[ 04-17 15:34 ]
- SiC相對(duì)于Si器件的優(yōu)勢(shì)： •SiC的寬帶隙允許更薄的外延層來(lái)阻擋給定的電壓 •較薄的漂移層降低了整體器件電阻 •更高的電子飽和速度允許更高頻率的運(yùn)行 •SiC的高導(dǎo)熱性允許器件在>200C的高溫下運(yùn)行
- SiC的不同晶體結(jié)構(gòu)[ 04-16 13:30 ]
- 由于Si與C雙原子層堆積序列的差異會(huì)導(dǎo)致不同的晶體結(jié)構(gòu)，SiC有著超過(guò)200種（目前已知）同質(zhì)多型族。 其中最被人熟知的便是立方密排的3C-SiC和六方密排的2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC（碳化硅具有優(yōu)良的物理和化學(xué)性能）。 最常用的多型是： 4H-SiC——功率集成電路應(yīng)用 6H-SiC——射頻應(yīng)用 在不同的晶面上生長(zhǎng)不同的晶錠多型體： 4H-SiC——在碳(C)面晶種上生長(zhǎng) 6H-SiC&
- 士蘭微：6寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線預(yù)計(jì)今年Q3通線[ 04-15 17:26 ]
- 近日，士蘭微在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，SiC生產(chǎn)線目前還是中試線。公司已著手在廈門士蘭明鎵公司建設(shè)一條6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)在2022年三季度實(shí)現(xiàn)通線。 據(jù)了解，士蘭微2022年?duì)I收主要增長(zhǎng)點(diǎn)主要是IPM模塊、PIM模塊、MEMS傳感器、AC-DC電路、DC-DC電路、手機(jī)快充芯片、PoE電路、IGBT、MOSFET、FRD等產(chǎn)品。士蘭微表示，未來(lái)公司對(duì)集成電路板塊的規(guī)劃和戰(zhàn)略的重點(diǎn)會(huì)放在車規(guī)和工業(yè)級(jí)電源管理產(chǎn)品、功率IC、信號(hào)鏈和混合信號(hào)處理電路、MEMS傳感器等。
- 碳化硅半導(dǎo)體市場(chǎng)大爆發(fā)[ 04-14 16:21 ]
- 據(jù)yole介紹，受汽車應(yīng)用的強(qiáng)勁推動(dòng)，尤其是在EV主逆變器方面的需求，sic市場(chǎng)高速增長(zhǎng)。 據(jù)報(bào)告，繼特斯拉采用SiC后，2020年和2021年又有多款新發(fā)布的EV和公告。此外，特斯拉創(chuàng)紀(jì)錄的出貨量幫助SiC器件在2021年達(dá)到10億美元的規(guī)模。他們指出，為了滿足長(zhǎng)續(xù)航的需求，800VEV是實(shí)現(xiàn)快速直流充電的解決方案。這就是1200VSiC器件發(fā)揮重要作用的地方。 根據(jù)報(bào)告，截至2022年，比亞迪的Han-EV和現(xiàn)代的Ioniq-5通過(guò)提供快速充電功能獲得了不錯(cuò)的銷量。Nio、Xpeng等更多OEM計(jì)劃
