SiC相對(duì)于Si器件的優(yōu)勢(shì)
SiC相對(duì)于Si器件的優(yōu)勢(shì)：
•SiC的寬帶隙允許更薄的外延層來(lái)阻擋給定的電壓
•較薄的漂移層降低了整體器件電阻
•更高的電子飽和速度允許更高頻率的運(yùn)行
•SiC的高導(dǎo)熱性允許器件在>200C的高溫下運(yùn)行
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