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    SiC相對于Si器件的優(yōu)勢[ 04-17 15:34 ]
    SiC相對于Si器件的優(yōu)勢: •SiC的寬帶隙允許更薄的外延層來阻擋給定的電壓 •較薄的漂移層降低了整體器件電阻 •更高的電子飽和速度允許更高頻率的運行 •SiC的高導熱性允許器件在>200C的高溫下運行
    SiC的不同晶體結(jié)構(gòu)[ 04-16 13:30 ]
    由于Si與C雙原子層堆積序列的差異會導致不同的晶體結(jié)構(gòu),SiC有著超過200種(目前已知)同質(zhì)多型族。 其中最被人熟知的便是立方密排的3C-SiC和六方密排的2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC(碳化硅具有優(yōu)良的物理和化學性能)。 最常用的多型是: 4H-SiC——功率集成電路應(yīng)用 6H-SiC——射頻應(yīng)用 在不同的晶面上生長不同的晶錠多型體: 4H-SiC——在碳(C)面晶種上生長 6H-SiC&
    士蘭微:6寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線預(yù)計今年Q3通線[ 04-15 17:26 ]
    近日,士蘭微在接受機構(gòu)調(diào)研時表示,SiC生產(chǎn)線目前還是中試線。公司已著手在廈門士蘭明鎵公司建設(shè)一條6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線,預(yù)計在2022年三季度實現(xiàn)通線。   據(jù)了解,士蘭微2022年營收主要增長點主要是IPM模塊、PIM模塊、MEMS傳感器、AC-DC電路、DC-DC電路、手機快充芯片、PoE電路、IGBT、MOSFET、FRD等產(chǎn)品。士蘭微表示,未來公司對集成電路板塊的規(guī)劃和戰(zhàn)略的重點會放在車規(guī)和工業(yè)級電源管理產(chǎn)品、功率IC、信號鏈和混合信號處理電路、MEMS傳感器等。  
    碳化硅半導體市場大爆發(fā)[ 04-14 16:21 ]
    據(jù)yole介紹,受汽車應(yīng)用的強勁推動,尤其是在EV主逆變器方面的需求,sic市場高速增長。 據(jù)報告,繼特斯拉采用SiC后,2020年和2021年又有多款新發(fā)布的EV和公告。此外,特斯拉創(chuàng)紀錄的出貨量幫助SiC器件在2021年達到10億美元的規(guī)模。他們指出,為了滿足長續(xù)航的需求,800VEV是實現(xiàn)快速直流充電的解決方案。這就是1200VSiC器件發(fā)揮重要作用的地方。 根據(jù)報告,截至2022年,比亞迪的Han-EV和現(xiàn)代的Ioniq-5通過提供快速充電功能獲得了不錯的銷量。Nio、Xpeng等更多OEM計劃
    國產(chǎn)高端8/12英寸晶圓減薄機加速實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化[ 04-13 13:16 ]
    北京中電科電子裝備有限公司(以下簡稱“北京中電科”)在國家科技部和電科裝備的大力支持下,依托已有晶圓減薄機技術(shù)的優(yōu)勢,突破了高速大扭矩減薄氣浮主軸、高精度晶片減薄厚度精密控制等核心技術(shù),成功推出了自主研發(fā)的8/12英寸全自動晶圓減薄機的產(chǎn)業(yè)化機型,目前已有20多臺不同型號設(shè)備被用于集成電路材料加工、芯片制造、先進封裝等工藝段的產(chǎn)品量產(chǎn),獲得行業(yè)客戶的高度認可。隨著8英寸全自動減薄機在西安封測龍頭企業(yè)實現(xiàn)流片,12英寸全自動減薄機在國內(nèi)多家大型硅片制造企業(yè)實現(xiàn)Inline生產(chǎn),設(shè)備各項工藝指標
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