推薦產(chǎn)品
聯(lián)系金蒙新材料
- 碳化硅具有優(yōu)良的物理和化學(xué)性能[ 03-22 16:17 ]
- 去年發(fā)布的“‘十四五’規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要”明確提出，我國(guó)將加速推動(dòng)以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體新材料新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，催生一批高速成長(zhǎng)的新材料企業(yè)。 作為第三代半導(dǎo)體代表材料，碳化硅具有優(yōu)良的物理和化學(xué)性能。 力學(xué)性能：高硬度（克氏硬度為3000kg/mm2），可以切割紅寶石；高耐磨性，僅次于金剛石。 熱學(xué)性能：熱導(dǎo)率超過(guò)金屬銅，是Si的3倍，是GaAs的8～10倍，散熱性能好，對(duì)于大功率器件非常重要。 化學(xué)性能：耐腐蝕性非常
- 華為猛投SiC賽道有何戰(zhàn)略意圖？[ 03-21 16:13 ]
- 去年9月底，華為發(fā)布了《數(shù)字能源2030》白皮書，白皮書中指出，“電力電子技術(shù)和數(shù)字技術(shù)成為驅(qū)動(dòng)能源產(chǎn)業(yè)變革的核心技術(shù)”。更高電壓、更高效率、更高功率密度代表了電力電子器件技術(shù)的發(fā)展方向。在2020年之前的50年中，硅基電力電子器件技術(shù)日益成熟，產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷壯大，在能源領(lǐng)域發(fā)揮了不可或缺的作用。然而受材料特性所限，硅基電力電子器件性能正在接近其理論極限，難以繼續(xù)支撐技術(shù)和產(chǎn)業(yè)快速前進(jìn)的要求。進(jìn)入新世紀(jì)以來(lái)，尤其是從2010年至今，諸多新興的半導(dǎo)體材料憑借優(yōu)越的材料特性為電力電子器件技術(shù)帶來(lái)了
- SiCMOSFET器件的商業(yè)化[ 03-19 15:59 ]
- 近20多年來(lái)，以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件，受到了廣泛的關(guān)注。SiC材料具有3倍于硅材料的禁帶寬度，10倍于硅材料的臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，3倍于硅材料的熱導(dǎo)率，因此SiC功率器件適合于高頻、高壓、高溫等應(yīng)用場(chǎng)合。 其中SiCMOSFET是最為成熟、應(yīng)用最廣的SiC功率開(kāi)關(guān)器件，具有高開(kāi)關(guān)速度、低損耗和耐高溫等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是替代硅IGBT的最佳選擇。SiCMOSFET是一種具有絕緣柵結(jié)構(gòu)的單極性器件，關(guān)斷過(guò)程不存在拖尾電流，降低了開(kāi)關(guān)損耗，進(jìn)而減小散熱器體積；并且其開(kāi)關(guān)速度快，開(kāi)關(guān)頻率高，有利于減小變換器中電感
- 碳化硅功率器件相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)通過(guò)[ 03-18 15:54 ]
- 據(jù)中國(guó)粉體網(wǎng)訊 近期，由江蘇宏微科技有限公司、重慶大學(xué)聯(lián)合牽頭，泰克科技（中國(guó)）有限公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、北京海瑞克科技發(fā)展有限公司、廣州電網(wǎng)有限公司電力科學(xué)研究院等單位聯(lián)合提交的《碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)運(yùn)行條件下閾值穩(wěn)定性測(cè)試方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)提案，經(jīng)CASA標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）管理委員會(huì)審核，根據(jù)《CASA管理和標(biāo)準(zhǔn)制修訂細(xì)則》，上述團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)提案立項(xiàng)通過(guò)，分配編號(hào)為：CASA024。
- 碳化硅晶片生產(chǎn)流程及清洗技術(shù)[ 03-17 14:52 ]
- 碳化硅晶片經(jīng)過(guò)清洗可以有效去除表面沾污和雜質(zhì)，同時(shí)保證不引入新的雜質(zhì)，從而使最終的碳化硅晶片產(chǎn)品滿足半導(dǎo)體下游客戶的要求。 傳統(tǒng)的硅襯底材料使用RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗方法來(lái)去除材料表面的污染，但是碳化硅是一種極性晶體，表面帶有一定的電荷，吸附污染物后變得更加難以清洗。
