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- 碳化硅功率模塊的應(yīng)用[ 02-21 12:18 ]
- 碳化硅模塊是支撐各種工業(yè)應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)之一，相比傳統(tǒng)硅基IGBT功率模塊具有更高功率密度、更高可靠性、更高工作結(jié)溫、更低寄生電感、更低熱阻等特性。在需要提升系統(tǒng)功率密度、使用更高主開(kāi)關(guān)頻率的尖端電力電子設(shè)備的性能升級(jí)過(guò)程中，現(xiàn)有硅基IGBT配合硅基FRD（快恢復(fù)二極管）的性能已無(wú)法完全滿(mǎn)足要求，需要高性能與性?xún)r(jià)比兼具的主開(kāi)關(guān)器件。 隨著SiC技術(shù)的日趨成熟和商業(yè)化應(yīng)用，其獨(dú)特的耐高溫性能不斷加速推動(dòng)結(jié)溫從150℃邁向175℃，甚至已出現(xiàn)了200℃的產(chǎn)品。借助于這種獨(dú)特的高溫特性和低開(kāi)關(guān)損耗優(yōu)勢(shì)，可以為未來(lái)的高
- 燒結(jié)溫度對(duì)SiC多孔陶瓷性能的影響[ 02-20 08:36 ]
- (1)XRD分析表明，隨著燒結(jié)溫度的升高，SiO2的特征衍射峰強(qiáng)度逐漸升高，在1690℃時(shí)SiO2的特征衍射峰強(qiáng)度最高，這是因?yàn)闊Y(jié)溫度較高導(dǎo)致了SiC表面發(fā)生了氧化反應(yīng)，形成了致密的氧化膜，包覆了SiC。 (2)氣孔率測(cè)試發(fā)現(xiàn)，隨著燒結(jié)溫度的升高，SiC多孔陶瓷的氣孔率呈現(xiàn)出先降低后增加的趨勢(shì)，在1660℃時(shí)氣孔率最低為32.1％。 (3)分析發(fā)現(xiàn)，在1600和1630℃下燒結(jié)的SiC多孔陶瓷中的小顆粒較多，且SiC多孔陶瓷的顆粒較為分散；隨著燒結(jié)溫度的升高，小顆粒相逐漸減少，斷面出現(xiàn)了較多的氣孔，且
- 絲瓜衍生環(huán)保型碳化硅陶瓷基復(fù)合相變材料[ 02-19 10:22 ]
- 據(jù)悉南京航空航天大學(xué)低碳航空動(dòng)力與綠色能源創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)宣益民院士、劉向雷教授等人在Energystoragematerials上發(fā)表了題為“Loofah-derivedeco-friendlySiCceramicsforhigh-performancesunlightcapture,thermaltransport,andenergystorage”的研究論文。該工作在團(tuán)隊(duì)前期研究（Mater.TodayEnergy,21(2021)100764；Sol.EnergyMaterSol.Cells
- 河南：積極布局5G、半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)，重點(diǎn)發(fā)展碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料[ 02-18 08:40 ]
- 在5G方面，要培育引進(jìn)一批5G智能終端、通信模組、天饋線、5G小型化基站設(shè)備、5G高頻元器件等制造企業(yè)和項(xiàng)目，加快形成5G關(guān)鍵器件及材料生產(chǎn)能力。建設(shè)5G產(chǎn)品監(jiān)測(cè)、認(rèn)證、入網(wǎng)檢測(cè)等公共服務(wù)平臺(tái)，搭建5G創(chuàng)新中心，提高產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜合服務(wù)水平。實(shí)施5G融合應(yīng)用工程，重點(diǎn)推動(dòng)5G在工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、車(chē)聯(lián)網(wǎng)、智慧城市、智慧農(nóng)業(yè)、智慧醫(yī)療等領(lǐng)域融合應(yīng)用，打造一批5G標(biāo)桿應(yīng)用場(chǎng)景。 在半導(dǎo)體方面，積極布局半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)，發(fā)展以碳化硅、氮化鎵為重點(diǎn)的第三代半導(dǎo)體材料，提升大尺寸單晶硅拋光片、電子級(jí)高純硅材料、區(qū)熔硅單晶研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
- 碳化硅單晶襯底是半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)鏈上極為關(guān)鍵一環(huán)[ 02-17 10:08 ]
- 碳化硅器件性能非常突出，但其生產(chǎn)過(guò)程可謂是困難重重。其產(chǎn)業(yè)鏈貫穿了材料、芯片設(shè)計(jì)、制造工藝等各個(gè)環(huán)節(jié)。相對(duì)傳統(tǒng)硅基技術(shù)而言，寬禁帶功率器件由于采用了SiC半導(dǎo)體材料，在各關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)也會(huì)遇到新的問(wèn)題與挑戰(zhàn)。 SiC半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)鏈 從技術(shù)的角度來(lái)說(shuō)，與硅基功率器件制作工藝不同，碳化硅器件不能直接制作在碳化硅單晶材料上，需要在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，最后在外延層上制造各類(lèi)器件。傳統(tǒng)的碳化硅外延基于高品質(zhì)碳化硅單晶襯底，以實(shí)現(xiàn)晶格匹配和降低缺陷密度（微管、位錯(cuò)、層錯(cuò)等）。 即是說(shuō)
