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- 碳化硅單晶制備技術的難點[ 02-15 10:16 ]
- 碳化硅單晶制備技術包括PVT法（物理氣相傳輸法）、溶液法和高溫氣相化學沉積法等，目前商用碳化硅單晶生長均采用PVT法。PVT法制備碳化硅單晶的難度在于： ①碳化硅單晶生長設備設計與制造技術。碳化硅長晶爐是晶體制備的載體，也是晶體生長核心技術中的熱場和工藝的重要組成部分。針對不同尺寸、不同導電性能的碳化硅單晶襯底，碳化硅長晶爐需要實現(xiàn)高真空度、低真空漏率等各項性能指標，為高質(zhì)量晶體生長提供適合的熱場實現(xiàn)條件。 ②碳化硅粉料合成過程中的環(huán)境雜質(zhì)多，難以獲得高純度的粉料；作為反應源的硅粉和碳粉反應不完全易造成
- 備受矚目的防彈陶瓷材料——碳化硅[ 02-14 08:59 ]
- 碳化硅共價鍵極強，在高溫下仍具有高強度的鍵合，這種結構特點賦予了碳化硅陶瓷優(yōu)異的強度、高硬度、耐磨損、耐腐蝕、高熱導率、良好的抗熱震性等性能；同時碳化硅陶瓷價格適中，性價比高，是最有發(fā)展?jié)摿Φ母咝阅苎b甲防護材料之一。SiC陶瓷在裝甲防護領域具有廣闊的發(fā)展空間，在單兵裝備和特種車輛等領域的應用趨于多元化。作為防護裝甲材料時，考慮到成本及特殊應用場合等因素，通常將小塊排布的陶瓷面板與復合材料背板黏結成陶瓷復合靶板，以克服陶瓷由于拉應力引起的失效，并確保彈丸侵徹時只粉碎單塊而不破壞裝甲整體。
- 碳化硅防彈陶瓷的制備方法及工藝特點[ 02-13 09:13 ]
- 從陶瓷材料制備工藝的特點可以看出，目前工藝發(fā)展較為成熟的是反應燒結、無壓燒結和液相燒結，這3種燒結方式的生產(chǎn)成本較低，制備工藝較簡單，實現(xiàn)大批量生產(chǎn)的可能性較高。熱壓燒結和熱等靜壓燒結相對來說會受到產(chǎn)品尺寸的限制，生產(chǎn)成本較高，成熟性較低。超高壓燒結、微波燒結、放電等離子燒結和等離子束熔融法綜合來說成熟性最低，是較為新穎的制備手段，但對于技術和設備的要求較高，需要投入的生產(chǎn)費用高，實現(xiàn)批量化的可行性較低，常用于實驗探索階段，對實際應用意義不大，較難實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
- 碳化硅防彈陶瓷仍面臨升級和突破發(fā)展[ 02-12 09:15 ]
- 盡管碳化硅的防彈潛力非常大，但單相陶瓷斷裂韌性、脆性差的問題卻不容忽視。而現(xiàn)代科技的發(fā)展對防彈陶瓷的功能性與經(jīng)濟性提出了要求：多功能、高性能、輕質(zhì)、低成本和安全性。因此，專家學者們近年來希望通過微觀調(diào)節(jié)包括多元陶瓷體系復合、功能梯度陶瓷、層狀結構設計等來實現(xiàn)陶瓷的強韌化、輕量化和經(jīng)濟化，并且這樣的護甲相對于如今的裝甲重量輕，更好地提高了作戰(zhàn)單位的機動性能。 功能梯度陶瓷即通過微觀設計組分材料性能呈規(guī)律性變化。比如硼化鈦與金屬鈦以及氧化鋁、碳化硅、碳化硼、氮化硅與金屬鋁等金屬/陶瓷復合體系，性能沿厚度位置呈梯度
- 防彈陶瓷對材料性能有哪些要求[ 02-11 08:53 ]
- 因為陶瓷本身的脆性，其受到彈丸沖擊時發(fā)生斷裂而不是塑性變形。在拉伸載荷作用下，斷裂首先發(fā)生在非均質(zhì)處如孔隙和晶界上。因此，為使微觀應力集中降低到最小程度，裝甲陶瓷應當是孔隙率低（達理論密度值的99%）和細晶粒結構的高質(zhì)量陶瓷。 目前防彈陶瓷發(fā)展迅速，防彈陶瓷材料種類眾多，這幾種最常用，包括氧化鋁、碳化硅、碳化硼、氮化硅、硼化鈦等，其中以氧化鋁陶瓷(Al2O3)、碳化硅陶瓷(SiC)、碳化硼陶瓷(B4C)應用最廣。
