碳化硅功率器件相關(guān)標準立項通過[ 03-18 15:54 ]

據(jù)中國粉體網(wǎng)訊 近期，由江蘇宏微科技有限公司、重慶大學聯(lián)合牽頭，泰克科技（中國）有限公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、北京海瑞克科技發(fā)展有限公司、廣州電網(wǎng)有限公司電力科學研究院等單位聯(lián)合提交的《碳化硅MOSFET開關(guān)運行條件下閾值穩(wěn)定性測試方法》團體標準提案，經(jīng)CASA標準化委員會（CASAS）管理委員會審核，根據(jù)《CASA管理和標準制修訂細則》，上述團體標準提案立項通過，分配編號為：CASA024。

碳化硅半導體納入國家“十四五”規(guī)劃重點支持領(lǐng)域[ 03-11 15:24 ]

我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導體納入重點支持領(lǐng)域，隨著國家“新基建”戰(zhàn)略的實施，碳化硅半導體將在5G基站建設、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。晶片（襯底）作為碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)材料，具有較高的應用前景和產(chǎn)業(yè)價值，在我國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展中具有重要的戰(zhàn)略地位。 碳化硅晶片產(chǎn)品尺寸越大、技術(shù)參數(shù)水平越高，其技術(shù)優(yōu)勢越明顯，長期以來，碳化硅晶片的核心技術(shù)和市場基本被歐美發(fā)達國家壟斷，這無疑突出了一個事實，即

碳化硅聚焦環(huán)陶瓷材料[ 03-09 17:16 ]

隨著半導體技術(shù)的發(fā)展，等離子體刻蝕逐漸成為半導體制造工藝廣泛應用的技術(shù)。等離子體刻蝕產(chǎn)生的等離子體具有很強的腐蝕性，在刻蝕晶圓的過程中也會對工藝腔腔體和腔體內(nèi)部件造成嚴重腐蝕，所以半導體加工設備中與等離子體接觸的部件需要有較好的耐等離子體刻蝕性能。 相對于有機和金屬材料，陶瓷材料一般都具有較好的耐物理和化學腐蝕性能以及很高的工作溫度，因而在半導體工業(yè)中，多種陶瓷材料已成為半導體單晶硅片制造工序和前道加工工序的設備核心部件制造材料，如SiC，AlN，Al2O3和Y2O3等。在等離子環(huán)境中陶瓷材料的選擇取決于核心

山西爍科晶體成功實現(xiàn)8英寸碳化硅晶體小批量量產(chǎn)[ 03-05 13:34 ]

近日，電科材料下屬山西爍科晶體有限公司（以下簡稱爍科公司）成功研制出8英寸碳化硅晶體，實現(xiàn)了8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn)。 由于碳化硅對溫度及壓力控制有著極其苛刻的要求，而且其本身具有的高硬度、高脆性、低斷裂韌性等特點，都使得大尺寸碳化硅單晶的制備及切割成為非常棘手的問題。 爍科公司專業(yè)深耕碳化硅材料領(lǐng)域，經(jīng)過刻苦攻關(guān)，于去年8月研制出8英寸碳化硅晶體，成功解決大尺寸單晶制備的重要難題。近日又再次取得重大突破，實現(xiàn)8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn)，向8英寸國產(chǎn)N型碳化硅拋光片的批量化生產(chǎn)邁出了關(guān)鍵一

晶盛機電年產(chǎn)40萬片碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項目3月開工[ 03-04 09:30 ]

近日，由浙江晶盛機電股份有限公司總投資50億元建設的“碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項目”落戶寧夏銀川。其中，一期預計3月開工建設，投資總額33.6億元，一期建成達產(chǎn)后預計年產(chǎn)6英寸碳化硅晶片40萬片。 晶盛機電主要圍繞硅、碳化硅、藍寶石三大主要半導體材料開展業(yè)務，具備全球最大的700Kg藍寶石生長能力。據(jù)2月7日募資投建碳化硅襯底晶片生產(chǎn)基地項目和年產(chǎn)80臺套半導體材料拋光及減薄設備生產(chǎn)制造項目的公告披露，晶盛機電已組建一條從原料合成-晶體生長-切磨拋加工的中試產(chǎn)線，6英寸碳化硅晶片已獲得客戶驗