景德鎮(zhèn)2000噸/年微納纖維碳化硅特陶項(xiàng)目點(diǎn)火投產(chǎn)[ 04-26 10:05 ]

近期，位于景德鎮(zhèn)昌南新區(qū)，專業(yè)生產(chǎn)微納纖維碳化硅的三圓華鑫特種陶瓷項(xiàng)目正式點(diǎn)火投產(chǎn)。據(jù)悉，該項(xiàng)目已配置12條生產(chǎn)線，全部投產(chǎn)后，年產(chǎn)能將達(dá)到2000噸，到2023年，三圓華鑫公司將進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)能至5000噸。 據(jù)景德鎮(zhèn)政府網(wǎng)站信息，去年12月底，廣西三環(huán)集團(tuán)投資的三圓華鑫特種陶瓷項(xiàng)目落戶昌南新區(qū)。項(xiàng)目引進(jìn)了國(guó)際先進(jìn)的大型真空反應(yīng)燒結(jié)窯爐和各種機(jī)加工設(shè)備，并與清華大學(xué)、景德鎮(zhèn)陶瓷大學(xué)等先進(jìn)陶瓷研發(fā)機(jī)構(gòu)合作，采用國(guó)際領(lǐng)先的工藝和生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，研發(fā)生產(chǎn)第二代碳化硅窯具。該產(chǎn)品性能穩(wěn)定，標(biāo)準(zhǔn)化程度高，具備高強(qiáng)度、高硬度、

在功率型碳化硅供應(yīng)鏈中擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的主要中國(guó)企業(yè)[ 04-25 14:38 ]

目前在功率型碳化硅供應(yīng)鏈上的中國(guó)專利申請(qǐng)人分類情況表明，目前供應(yīng)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)中已存在大量擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的中國(guó)企業(yè)。例如，在塊狀碳化硅領(lǐng)域，中國(guó)電科研究所、山東大學(xué)和中科院(上海硅酸鹽研究所、物理研究所、半導(dǎo)體研究所)等研究機(jī)構(gòu)在中國(guó)率先開(kāi)展了碳化硅晶體生長(zhǎng)的研究，并推動(dòng)了國(guó)內(nèi)工業(yè)企業(yè)的出現(xiàn)，如北京天科合達(dá)(成立于2006年)、山東天岳(成立于2010年)和河北同光晶體(成立于2012年)。 近期，一批新的初創(chuàng)企業(yè)從這些研究所誕生，如山西爍科晶體有限公司(中國(guó)電科)和廣州南沙晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(山東大學(xué))。此外

“國(guó)內(nèi)碳化硅第一股”天岳先進(jìn)發(fā)布上市以來(lái)的首份年報(bào)[ 04-21 17:12 ]

近期，“國(guó)內(nèi)碳化硅第一股”天岳先進(jìn)發(fā)布上市以來(lái)的首份年報(bào)。2021年，該公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收4.94億元，同比增長(zhǎng)16.25%；歸母凈利潤(rùn)8995.15萬(wàn)元，實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，較上年同期增加7.31億元。去年銷售襯底約5.7萬(wàn)片，產(chǎn)能持續(xù)提升。 資料顯示，天岳先進(jìn)是國(guó)內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體（第三代半導(dǎo)體）襯底材料生產(chǎn)商，主要從事碳化硅襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域。今年1月12日，天岳先進(jìn)正式在科創(chuàng)板上市，成為“國(guó)內(nèi)碳化硅第一股”。 天岳先進(jìn)

碳化硅功率器件市場(chǎng)至2027年或翻6倍[ 04-20 14:07 ]

碳化硅襯底可以分為半絕緣碳化硅襯底和低阻碳化硅襯底。近年來(lái)，隨著5G產(chǎn)業(yè)發(fā)展勢(shì)頭的慢慢平穩(wěn)，低阻碳化硅襯底逐漸要扛起碳化硅產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展的大旗。據(jù)YOLE預(yù)測(cè)，2021年全球碳化硅功率器件的市場(chǎng)規(guī)模約為10.9億美金，而到2027年全球碳化硅功率器件的市場(chǎng)規(guī)模將暴增至62.97億美金，年均復(fù)合增長(zhǎng)率約為34%。 車規(guī)級(jí)碳化硅功率器件的研發(fā)可追溯到2008年。而豐田汽車早在2014年就推出了應(yīng)用碳化硅功率器件的普銳斯和凱美瑞混動(dòng)車，然而真正實(shí)現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用碳化硅MOSFET器件的則是車企新貴—&mdas

近30年的SiC外延系統(tǒng)演變[ 04-19 13:44 ]

近30年的SiC外延系統(tǒng)演變 Epigress熱壁式SiC外延生長(zhǎng)系統(tǒng) •單晶片2”直徑 •手動(dòng)裝載和卸載外延片 •過(guò)程手動(dòng)控制 •基于硅烷(SiH4)的工藝–不含氯 •增長(zhǎng)率限制在10微米/小時(shí)左右 Aixtron暖壁系統(tǒng) •多晶片6”直徑(8”) •自動(dòng)加載和卸載外延片 •配方控制過(guò)程 •基于氯硅烷的工藝