碳化硅功率器件市場至2027年或翻6倍[ 04-20 14:07 ]

碳化硅襯底可以分為半絕緣碳化硅襯底和低阻碳化硅襯底。近年來，隨著5G產(chǎn)業(yè)發(fā)展勢頭的慢慢平穩(wěn)，低阻碳化硅襯底逐漸要扛起碳化硅產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展的大旗。據(jù)YOLE預測，2021年全球碳化硅功率器件的市場規(guī)模約為10.9億美金，而到2027年全球碳化硅功率器件的市場規(guī)模將暴增至62.97億美金，年均復合增長率約為34%。 車規(guī)級碳化硅功率器件的研發(fā)可追溯到2008年。而豐田汽車早在2014年就推出了應(yīng)用碳化硅功率器件的普銳斯和凱美瑞混動車，然而真正實現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用碳化硅MOSFET器件的則是車企新貴—&mdas

近30年的SiC外延系統(tǒng)演變[ 04-19 13:44 ]

近30年的SiC外延系統(tǒng)演變 Epigress熱壁式SiC外延生長系統(tǒng) •單晶片2”直徑 •手動裝載和卸載外延片 •過程手動控制 •基于硅烷(SiH4)的工藝–不含氯 •增長率限制在10微米/小時左右 Aixtron暖壁系統(tǒng) •多晶片6”直徑(8”) •自動加載和卸載外延片 •配方控制過程 •基于氯硅烷的工藝

士蘭微：6寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線預計今年Q3通線[ 04-15 17:26 ]

近日，士蘭微在接受機構(gòu)調(diào)研時表示，SiC生產(chǎn)線目前還是中試線。公司已著手在廈門士蘭明鎵公司建設(shè)一條6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線，預計在2022年三季度實現(xiàn)通線。   據(jù)了解，士蘭微2022年營收主要增長點主要是IPM模塊、PIM模塊、MEMS傳感器、AC-DC電路、DC-DC電路、手機快充芯片、PoE電路、IGBT、MOSFET、FRD等產(chǎn)品。士蘭微表示，未來公司對集成電路板塊的規(guī)劃和戰(zhàn)略的重點會放在車規(guī)和工業(yè)級電源管理產(chǎn)品、功率IC、信號鏈和混合信號處理電路、MEMS傳感器等。  

碳化硅半導體市場大爆發(fā)[ 04-14 16:21 ]

據(jù)yole介紹，受汽車應(yīng)用的強勁推動，尤其是在EV主逆變器方面的需求，sic市場高速增長。 據(jù)報告，繼特斯拉采用SiC后，2020年和2021年又有多款新發(fā)布的EV和公告。此外，特斯拉創(chuàng)紀錄的出貨量幫助SiC器件在2021年達到10億美元的規(guī)模。他們指出，為了滿足長續(xù)航的需求，800VEV是實現(xiàn)快速直流充電的解決方案。這就是1200VSiC器件發(fā)揮重要作用的地方。 根據(jù)報告，截至2022年，比亞迪的Han-EV和現(xiàn)代的Ioniq-5通過提供快速充電功能獲得了不錯的銷量。Nio、Xpeng等更多OEM計劃

國產(chǎn)高端8/12英寸晶圓減薄機加速實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化[ 04-13 13:16 ]

北京中電科電子裝備有限公司（以下簡稱“北京中電科”）在國家科技部和電科裝備的大力支持下，依托已有晶圓減薄機技術(shù)的優(yōu)勢，突破了高速大扭矩減薄氣浮主軸、高精度晶片減薄厚度精密控制等核心技術(shù)，成功推出了自主研發(fā)的8/12英寸全自動晶圓減薄機的產(chǎn)業(yè)化機型，目前已有20多臺不同型號設(shè)備被用于集成電路材料加工、芯片制造、先進封裝等工藝段的產(chǎn)品量產(chǎn)，獲得行業(yè)客戶的高度認可。隨著8英寸全自動減薄機在西安封測龍頭企業(yè)實現(xiàn)流片，12英寸全自動減薄機在國內(nèi)多家大型硅片制造企業(yè)實現(xiàn)Inline生產(chǎn)，設(shè)備各項工藝指標