推薦產(chǎn)品
聯(lián)系金蒙新材料
- 碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?[ 11-30 16:21 ]
- 碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域主要分為高溫應(yīng)用領(lǐng)域、加熱與熱交換工業(yè)領(lǐng)域、腐蝕環(huán)境下的應(yīng)用、磨削領(lǐng)域、耐磨損機(jī)械領(lǐng)域、有色冶金領(lǐng)域、水泥生產(chǎn)領(lǐng)域、過濾領(lǐng)域、國(guó)防軍工及航空航天領(lǐng)域、光學(xué)應(yīng)用領(lǐng)域、半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用、核工業(yè)領(lǐng)域等。而具體的應(yīng)用形式主要包括以下幾個(gè)方面。
- 常見的結(jié)構(gòu)陶瓷及其應(yīng)用領(lǐng)域盤點(diǎn)[ 11-04 17:18 ]
- 先進(jìn)陶瓷按種類可分為結(jié)構(gòu)陶瓷和功能陶瓷。功能陶瓷主要基于材料的特殊功能,具有電氣性能、磁性、生物特性、熱敏性和光學(xué)特性等特點(diǎn),主要包括絕緣和介質(zhì)陶瓷、鐵電陶瓷、壓電陶瓷、半導(dǎo)體及其敏感陶瓷等;結(jié)構(gòu)陶瓷主要基于材料的力學(xué)和結(jié)構(gòu)用途,具有高強(qiáng)度、高硬度、耐高溫、耐腐蝕、抗氧化等特點(diǎn),主要用于切削工具、模具、耐磨零件、泵和閥部件、發(fā)動(dòng)機(jī)部件、熱交換器、生物部件和裝甲裝備等,主要材料有氮化硅、碳化硅、二氧化鋯、碳化硼、二硼化鈦、氧化鋁和賽隆等。
- 光電儲(chǔ)能領(lǐng)域中應(yīng)用優(yōu)勢(shì)明確,碳化硅器件滲透率快速提升[ 10-15 17:03 ]
- 光伏、風(fēng)電和儲(chǔ)能逆變器曾普遍采用硅器件,經(jīng)過40多年的發(fā)展,轉(zhuǎn)換效率和功率密度等已接近理論極限。基于硅基器件的傳統(tǒng)逆變器成本約占系統(tǒng)10%左右,卻是系統(tǒng)能量損耗的主要來源之一。碳化硅器件可應(yīng)用于風(fēng)電整流器、逆變器、變壓器,降低能損和提高效率的同時(shí)可以使得質(zhì)量和成本分別減少25%和50%。 儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展布局,碳化硅市場(chǎng)空間進(jìn)一步打開。隨著光電、風(fēng)電等具有間接性、波動(dòng)性等特點(diǎn)的可再生資源占比逐步提升,社會(huì)對(duì)能源穩(wěn)定性提出了更高要求,儲(chǔ)能成為解決能源波動(dòng)性問題和電力系統(tǒng)供需匹配問題的關(guān)鍵,具有巨大市場(chǎng)潛力,碳化硅
- 電動(dòng)車領(lǐng)域新應(yīng)用不斷出現(xiàn),汽車廠商積極啟用碳化硅戰(zhàn)略[ 10-14 16:02 ]
- 電動(dòng)汽車行業(yè)是市場(chǎng)空間巨大的新興市場(chǎng),隨著電動(dòng)汽車的發(fā)展,對(duì)功率半導(dǎo)體器件需求量日益增加。 電動(dòng)車規(guī)模上量800V高壓快充平臺(tái),平臺(tái)搭載碳化硅共同發(fā)力。隨著續(xù)航問題逐漸成為電動(dòng)車發(fā)展的重心,高壓快充已是大勢(shì)所趨,利于充電性能和整車運(yùn)行效率大幅提升的800V快充平臺(tái)加速布局,其研發(fā)對(duì)電機(jī)的絕緣性和耐高溫性提出了較高要求,相比于已達(dá)到材料極限的硅基IGBT,碳化硅憑借其體積小、耐高溫和耐高壓的優(yōu)勢(shì),更有利于提升空間利用率與功率效率,具有更高綜合效益。 800V高壓快充平臺(tái)發(fā)展受重,推動(dòng)汽車?yán)m(xù)航與整車效率提高
- 高壓高功率領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)突出,SIC功率器件市場(chǎng)廣闊[ 10-13 17:00 ]
- 碳化硅功率器件替代優(yōu)勢(shì)明顯,在高壓高功率領(lǐng)域性能強(qiáng)勁。功率器件是電力電子行業(yè)的重要基礎(chǔ)元器件之一,作用是實(shí)現(xiàn)對(duì)電能的處理、轉(zhuǎn)換和控制,主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。碳化硅功率器件具有高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨(dú)特優(yōu)勢(shì),根據(jù)科銳和應(yīng)用材料公司官網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示,相較于硅基功率器件,碳化硅基MOSFET尺寸可以減少為同電壓硅基MOSFET的十分之一,能量損耗可以減少為同開關(guān)頻率硅基IGBT的30%。 SiC功率器件下游應(yīng)用廣泛,市場(chǎng)快速放量。得益于優(yōu)異的能源轉(zhuǎn)換效率,碳化