碳化硅現(xiàn)在面臨的缺點(diǎn)和掣肘是什么？[ 09-12 15:09 ]

碳化硅優(yōu)點(diǎn)很多，但是目前也僅僅是一個(gè)小汽車應(yīng)用場(chǎng)景上使用，還是無(wú)法大規(guī)模替代硅功率器件，業(yè)內(nèi)從技術(shù)和產(chǎn)業(yè)角度來(lái)理解有以下這些問(wèn)題。 首先碳化硅這種材料，在自然界是沒(méi)有的，必須人工合成，結(jié)果必然是成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于可以自然開采的材料，而且碳化硅升華熔點(diǎn)約2700度，且沒(méi)有液態(tài)，只有固態(tài)和氣態(tài)，因此注定不能用類似拉單晶的切克勞斯基法（CZ法）制備，因此第一步晶體生長(zhǎng)技術(shù)卡住了第一步也是最關(guān)鍵的一步，導(dǎo)致原材料價(jià)格過(guò)于昂貴。 因此碳化硅6英寸襯底高達(dá)1000美金，而6英寸硅片為23美金（150元），兩者實(shí)在差太多了

寬禁帶半導(dǎo)體材料的優(yōu)點(diǎn)[ 09-09 17:05 ]

碳化硅，氮化鎵有個(gè)很拉風(fēng)的名字叫寬禁帶半導(dǎo)體材料，國(guó)內(nèi)也叫第三代半導(dǎo)體。它特指禁帶寬度超過(guò)2.2eV的材料主要是碳化硅（3.2eV）和氮化鎵（3.34eV）；超過(guò)4.0eV叫超寬禁帶半導(dǎo)體材料，國(guó)內(nèi)叫第四代半導(dǎo)體材料，包括氮化鋁（AlN），金剛石（C），氧化鎵（Ga2O3）和氧化鋅（ZnO），就是上上周美國(guó)搞制裁的那個(gè)，有意思的是美國(guó)只禁了氧化鎵和金剛石，不提氮化鋁和氧化鋅，嘿嘿！說(shuō)明他們這塊不行，氮化鋁可能還是日本和中國(guó)搞的出色些。 禁帶寬度物理意義是實(shí)際上是反映了價(jià)電子被束縛強(qiáng)弱程度的一個(gè)物理量，也就是產(chǎn)

碳化硅陶瓷在新能源領(lǐng)域的潛力[ 09-05 16:13 ]

碳化硅陶瓷是從20世紀(jì)60年代開始發(fā)展起來(lái)的一種先進(jìn)陶瓷材料，由于具備化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、密度小、耐磨性能好、硬度大、機(jī)械強(qiáng)度高、耐化學(xué)腐蝕等特性，在精細(xì)化工、半導(dǎo)體、冶金、國(guó)防軍工等領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。 值得關(guān)注的是，在近年發(fā)展得如火如荼的鋰電池領(lǐng)域中，碳化硅陶瓷在其原料的制備環(huán)節(jié)上也同樣發(fā)揮著重要作用，如： ①磷酸鐵鋰正極材料的超細(xì)研磨 磷酸鐵鋰是目前廣泛使用的鋰電池正極材料之一。由于納米粒子可減小鋰離子嵌入脫出深度和行程，保證大電流放電時(shí)容量不衰減，因此“超

牛津儀器推出新型SiC外延襯底化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）解決方案[ 08-27 16:47 ]

據(jù)粉體圈整理消息：8月22日，牛津儀器（OxfordInstrumentsplc）旗下等離子技術(shù)公司（PlasmaTechnology）推出一種新型SiC外延襯底化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）的替代解決方案——等離子拋光干法蝕刻（PPDE），它不僅更清潔、環(huán)保、低成本，并且更穩(wěn)定。 CMP多年來(lái)一直是SiC襯底制備的最好選擇，但它存在不良率的頑疾，這在當(dāng)前滿足SiC需求增長(zhǎng)十分不利。首先，CMP漿料存在一定毒性，晶圓廠的CMP流程會(huì)對(duì)環(huán)境造成很大影響，并且大量消耗水資源；其次，CMP所須的拋光

晶盛機(jī)電成功研發(fā)出8英寸N型SiC晶體[ 08-26 17:05 ]

8月12日消息，經(jīng)過(guò)晶體實(shí)驗(yàn)室研發(fā)團(tuán)隊(duì)半年多的技術(shù)攻關(guān)，晶盛首顆8英寸N型SiC晶體成功出爐，標(biāo)志著晶盛第三代半導(dǎo)體材料SiC研發(fā)自此邁入8英寸時(shí)代，同時(shí)這也是晶盛在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域取得的又一標(biāo)志性成果。 據(jù)了解，此次研發(fā)成功的8英寸SiC晶體，晶坯厚度25mm，直徑214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶體研發(fā)上取得的重大突破。 在技術(shù)上，晶盛成功解決了8英寸晶體生長(zhǎng)過(guò)程中多個(gè)難點(diǎn)問(wèn)題，比如溫場(chǎng)不均、晶體開裂、氣相原料分布等等。 此外，還破解了SiC器件成本中襯底占比過(guò)高的難題，為大尺寸SiC襯底廣泛