第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展新方向[ 11-29 15:02 ]

眾所周知，采用第三代半導(dǎo)體材料的目的是為了提高產(chǎn)品效率和功率密度。大功率產(chǎn)品主要是Si IGBT向SiC MOSFET發(fā)展，目前在車載應(yīng)用方面已經(jīng)開始全面替換，其效率的提升以及重量的減輕直接提高了電動(dòng)車的續(xù)航能力。而中小功率產(chǎn)品是Si MOSFET向GaN HEMT發(fā)展，主要應(yīng)用是數(shù)據(jù)中心電源及充電適配器。 數(shù)據(jù)中心消耗的能源大概占總發(fā)電量的10%左右，采用第三代半導(dǎo)體材料GaN設(shè)計(jì)的電源能夠使效率提高3到5個(gè)點(diǎn)，從而節(jié)省全國(guó)千分之三到千分之五的電力消耗。這對(duì)于碳中和有非常重要的意義。充電適配器方面，采用氮化鎵可

GaN和SiC材料的技術(shù)難點(diǎn)和特點(diǎn)[ 11-29 14:59 ]

目前，第三代半導(dǎo)體材料GaN和SiC已經(jīng)得到了市場(chǎng)認(rèn)可和高度關(guān)注。在功率半導(dǎo)體的范疇，業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，除了LED發(fā)光和射頻，第三代半導(dǎo)體材料SiC的技術(shù)難點(diǎn)主要在于襯底缺陷的控制。當(dāng)前低缺陷密度的襯底材料主要是歐美及日本廠商生產(chǎn)，國(guó)內(nèi)想要突破還需要相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間。 同時(shí)第三代半導(dǎo)體材料SiC工藝控制難度高、產(chǎn)品批次性波動(dòng)大導(dǎo)致良率偏低以及主要材料供應(yīng)被壟斷，甚至推導(dǎo)到市場(chǎng)價(jià)格一直居高不下，目前只限定在部分應(yīng)用市場(chǎng)。但相比SiC更低損耗、更高效率以及高電壓耐高溫等一系列自身特點(diǎn)而言，第三代半導(dǎo)體材料SiC的應(yīng)用已經(jīng)

工信部：將碳化硅復(fù)合材料、碳基復(fù)合材料等納入“十四五”產(chǎn)業(yè)規(guī)劃[ 11-29 14:37 ]

8月24日，工信部在答復(fù)政協(xié)提案中表示，工信部將進(jìn)一步強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)政策引導(dǎo)，將碳基材料納入“十四五”原材料工業(yè)相關(guān)發(fā)展規(guī)劃，并將碳化硅復(fù)合材料、碳基復(fù)合材料等納入“十四五”產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新相關(guān)發(fā)展規(guī)劃，以全面突破關(guān)鍵核心技術(shù)，攻克“卡脖子”品種，提高碳基新材料等產(chǎn)品質(zhì)量，推進(jìn)產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)高級(jí)化、產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化。碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料之一，其介電擊穿強(qiáng)度大約是硅的10倍，主要用于生產(chǎn)功率半導(dǎo)體器件，適用于高溫、高壓、高功率的場(chǎng)景。碳基復(fù)合材料包括碳納米管、碳

中國(guó)磨料磨具分會(huì)秘書長(zhǎng)等一行蒞臨山東金蒙新材料股份有限公司調(diào)研[ 05-17 20:10 ]

初夏時(shí)節(jié)的金蒙新材料，處處洋溢著干事創(chuàng)業(yè)的激情。5月13日，中國(guó)磨料磨具分會(huì)秘書長(zhǎng)陳鵬，在副秘書長(zhǎng)馮潔、高級(jí)顧問(wèn)楊荻帆、行業(yè)部主任夏學(xué)峰、辦公室主任黃凱的陪同下，蒞臨山東金蒙新材料股份有限公司考察調(diào)研。公司董事長(zhǎng)胡尊奎等陪同。

旋流器常用的耐磨材料[ 04-11 14:59 ]

碳化硅具有比氧化鋁高的硬度、耐磨性的特點(diǎn)，并且碳化硅的燒制方法與氧化鋁相似。因碳化硅易被氧化生成SiO2，故必須在真空或在還原氣氛下繞結(jié)。碳化硅的燒結(jié)溫度一般在1800℃以上，成本高，限制了其在重介質(zhì)旋流器上的應(yīng)用。