“雙碳”、碳化硅、新能源有何神秘關系?[ 12-16 08:41 ]

  碳達峰是指我國承諾2030年前，二氧化碳的排放不再增長，達到峰值之后逐步降低。     碳中和是指企業(yè)、團體或個人測算在一定時間內(nèi)直接或間接產(chǎn)生的溫室氣體排放總量，然后通過植物造樹造林、節(jié)能減排等形式，抵消自身產(chǎn)生的二氧化碳排放量，實現(xiàn)二氧化碳“零排放”。     全球二氧化碳排放量逐年增加，2019年全球排放量達341.7億噸，年均復合增速2.1%。我國碳排放總量占全球碳排放總量的1/3，分別是美國和歐盟的2倍和3倍。我國人均碳

【磨協(xié)】關于召開2021年秋季全國磨料磨具行業(yè)信息交流會暨第三屆中國磨料磨具行業(yè)國際技術論壇的通知[ 11-30 12:18 ]

各會員單位及行業(yè)企業(yè)：   因故延期的“2021年秋季全國磨料磨具行業(yè)信息交流會暨第三屆中國磨料磨具行業(yè)國際技術論壇”，確定于2021年12月8—9日在河南省鄭州市舉辦。本次交流會秉承交流探討、開闊思路、加強合作、凝聚共識、推動行業(yè)高質量發(fā)展的主旨，以國際論壇的形式邀請到多位國內(nèi)外知名磨企負責人及科研院所教授，聚焦行業(yè)的發(fā)展趨勢、創(chuàng)新方向、制備工藝、綠色減排等熱點問題作分析報告。   會議具體安排如下：   一、會議時間：2021年12月8

【涂協(xié)】關于召開涂附磨具分會第十一屆會員代表大會暨“2021中國涂附磨具國際論壇”的通知[ 11-30 11:37 ]

  召開涂附磨具分會第十一屆會員代表大會暨“2021中國涂附磨具國際論壇”的通知     各會員單位及行業(yè)企業(yè)：       因受疫情影響延期的涂附磨具分會第十一屆會員代表大會暨“2021中國涂附磨具國際論壇”，定于12月21日－23日在鄭州舉辦。現(xiàn)將有關事宜通知如下：01   會議內(nèi)容     （一）涂附磨具分會理事會換屆選舉 &n

第三代半導體材料發(fā)展新方向[ 11-29 15:02 ]

眾所周知，采用第三代半導體材料的目的是為了提高產(chǎn)品效率和功率密度。大功率產(chǎn)品主要是Si IGBT向SiC MOSFET發(fā)展，目前在車載應用方面已經(jīng)開始全面替換，其效率的提升以及重量的減輕直接提高了電動車的續(xù)航能力。而中小功率產(chǎn)品是Si MOSFET向GaN HEMT發(fā)展，主要應用是數(shù)據(jù)中心電源及充電適配器。 數(shù)據(jù)中心消耗的能源大概占總發(fā)電量的10%左右，采用第三代半導體材料GaN設計的電源能夠使效率提高3到5個點，從而節(jié)省全國千分之三到千分之五的電力消耗。這對于碳中和有非常重要的意義。充電適配器方面，采用氮化鎵可

GaN和SiC材料的技術難點和特點[ 11-29 14:59 ]

目前，第三代半導體材料GaN和SiC已經(jīng)得到了市場認可和高度關注。在功率半導體的范疇，業(yè)內(nèi)人士認為，除了LED發(fā)光和射頻，第三代半導體材料SiC的技術難點主要在于襯底缺陷的控制。當前低缺陷密度的襯底材料主要是歐美及日本廠商生產(chǎn)，國內(nèi)想要突破還需要相當長的一段時間。 同時第三代半導體材料SiC工藝控制難度高、產(chǎn)品批次性波動大導致良率偏低以及主要材料供應被壟斷，甚至推導到市場價格一直居高不下，目前只限定在部分應用市場。但相比SiC更低損耗、更高效率以及高電壓耐高溫等一系列自身特點而言，第三代半導體材料SiC的應用已經(jīng)