推薦產(chǎn)品
聯(lián)系金蒙新材料
全國(guó)咨詢(xún)熱線:4001149319
電話：
0539-6281618/6281619
傳真：0539-6281097
地址:山東省臨沭縣泰安路中段
- 碳化硅粉在碳化硅晶圓生產(chǎn)中的應(yīng)用[ 09-06 16:39 ]
- 碳化硅晶圓的生產(chǎn)，是先要制備碳化硅襯底，目前其制備多采用改進(jìn)Lely法、高溫CVD法和溶液法，其中以改進(jìn)Lely法為主流。 Lely法，又稱(chēng)升華法，其基本原理是：在空心圓筒狀石墨坩堝中（最外層石墨坩堝，內(nèi)置多孔石墨環(huán)），將具有工業(yè)級(jí)純度的碳化硅粉料投入坩堝與多孔石墨環(huán)之間加熱到2500℃，碳化硅在此溫度下分解與升華，產(chǎn)生一系列氣相物質(zhì)比如硅單晶、Si2C和SiC2等。由于坩堝內(nèi)壁與多孔石墨環(huán)之間存在溫度梯度，這些氣相物質(zhì)在多孔石墨環(huán)內(nèi)壁隨機(jī)生成晶核。但Lely法產(chǎn)率低，晶核難以控制，而且會(huì)形成不同結(jié)構(gòu)，尺寸也
- 碳化硅陶瓷在新能源領(lǐng)域的潛力[ 09-05 16:13 ]
- 碳化硅陶瓷是從20世紀(jì)60年代開(kāi)始發(fā)展起來(lái)的一種先進(jìn)陶瓷材料，由于具備化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、密度小、耐磨性能好、硬度大、機(jī)械強(qiáng)度高、耐化學(xué)腐蝕等特性，在精細(xì)化工、半導(dǎo)體、冶金、國(guó)防軍工等領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。 值得關(guān)注的是，在近年發(fā)展得如火如荼的鋰電池領(lǐng)域中，碳化硅陶瓷在其原料的制備環(huán)節(jié)上也同樣發(fā)揮著重要作用，如： ①磷酸鐵鋰正極材料的超細(xì)研磨 磷酸鐵鋰是目前廣泛使用的鋰電池正極材料之一。由于納米粒子可減小鋰離子嵌入脫出深度和行程，保證大電流放電時(shí)容量不衰減，因此“超
- 碳化硅功率器件的多功能集成封裝技術(shù)和散熱技術(shù)介紹[ 09-03 16:45 ]
- 碳化硅器件的出現(xiàn)推動(dòng)了電力電子朝著小型化的方向發(fā)展，其中集成化的趨勢(shì)也日漸明顯。瓷片電容的集成較為常見(jiàn)，通過(guò)將瓷片電容盡可能靠近功率芯片可有效減小功率回路寄生電感參數(shù)，減小開(kāi)關(guān)過(guò)程中的震蕩、過(guò)沖現(xiàn)象。但目前瓷片電容不耐高溫，所以并不適宜于碳化硅的高溫工作情況。 驅(qū)動(dòng)集成技術(shù)也逐漸引起了人們的重視，三菱、英飛凌等公司均提出了SiC智能功率模塊(IPM)，將驅(qū)動(dòng)芯片以及相關(guān)保護(hù)電路集成到模塊內(nèi)部，并用于家電等設(shè)備當(dāng)中。此外，還有EMI濾波器集成，溫度、電流傳感器集成、微通道散熱集成等均有運(yùn)用到碳化硅封裝設(shè)計(jì)當(dāng)中。
- 碳化硅功率器件的高溫封裝技術(shù)介紹[ 09-02 17:02 ]
- 在進(jìn)行芯片正面連接時(shí)可用銅線替代鋁線，消除鍵合線與DBC銅層之間的熱膨脹系數(shù)差異，極大地提高模塊工作的可靠性。此外，鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環(huán)以及散熱能力，也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。 錫片或錫膏常用于芯片和DBC板的連接，焊接技術(shù)非常成熟而且簡(jiǎn)單，通過(guò)調(diào)整焊錫成分比例，改進(jìn)錫膏印刷技術(shù)，真空焊接減小空洞率，添加還原氣體等可實(shí)現(xiàn)極高質(zhì)量的焊接工藝。但焊錫熱導(dǎo)率較低，且會(huì)隨溫度變化，并不適宜SiC器件在高溫下工作。此外，焊錫層的可靠性問(wèn)題也是模塊失效的一大原因。 燒結(jié)銀連接
- 碳化硅功率器件的低雜散電感封裝技術(shù)介紹[ 09-01 16:56 ]
- 目前已有的大部分商用SiC器件仍采用傳統(tǒng)Si器件的封裝方式。傳統(tǒng)封裝技術(shù)成熟，成本低，而且可兼容和替代原有Si基器件。但傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)導(dǎo)致其雜散電感參數(shù)較大，在碳化硅器件快速開(kāi)關(guān)過(guò)程中造成嚴(yán)重電壓過(guò)沖，也導(dǎo)致?lián)p耗增加及電磁干擾等問(wèn)題。 而雜散電感的大小與開(kāi)關(guān)換流回路的面積相關(guān)。其中，金屬鍵合連接方式、元件引腳和多個(gè)芯片的平面布局是造成傳統(tǒng)封裝換流回路面積較大的關(guān)鍵影響因素。消除金屬鍵合線可以有效減小雜散電感值，將其大小控制在5nH以下。下面就其中典型的封裝結(jié)構(gòu)分別進(jìn)行介紹。 ①單管翻轉(zhuǎn)貼片封裝 阿肯
