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- 國內碳化硅襯底的難點[ 09-20 16:11 ]
- 當前，國內廠商碳化硅襯底生產的技術指標與國際主流廠商相比仍有明顯差距。碳化硅襯底正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展，目前行業(yè)內公司主要量產襯底尺寸集中在4英寸及6英寸。在最新技術研發(fā)儲備上，以行業(yè)領先者WolfSpeed公司的研發(fā)進程為例，WolfSpeed公司已成功研發(fā)8英寸產品。為提高生產效率并降低成本，大尺寸是碳化硅襯底制備技術的重要發(fā)展方向，襯底尺寸越大，單位襯底可制造的芯片數(shù)量越多，單位芯片成本越低；襯底的尺寸越大，邊緣的浪費就越小，有利于進一步降低芯片的成本。由于現(xiàn)有的6英寸的硅晶圓產線可以升級改造用于生產Si
- 碳化硅功率器件的性能優(yōu)勢[ 09-19 17:07 ]
- 碳化硅在半導體中存在的主要形式是作為襯底材料，基于其優(yōu)良的特性，碳化硅襯底的使用極限性能優(yōu)于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應用需求，當前碳化硅襯底已應用于射頻器件及功率器件。碳化硅器件優(yōu)點如下： （1）耐高壓。擊穿電場強度大，是硅的10倍，用碳化硅制備器件可以極大地提高耐壓容量、工作頻率和電流密度，并大大降低器件的導通損耗。所以在實際應用過程中，與硅基相比可以設計成更小的體積，約為硅基器件的1/10。 （2）耐高溫。半導體器件在較高的溫度下，會產生載流子的本征激發(fā)現(xiàn)象，造成器件失效。
- 碳化硅襯底領域國產替代成效顯著[ 09-17 15:03 ]
- 碳化硅作為第三代半導體材料的主要代表之一，其技術發(fā)展也至關重要。雖然國內碳化硅的技術水平與國外有所差距，但國內企業(yè)在2-6英寸的半絕緣型和導電型碳化硅襯底領域均已實現(xiàn)部分國產替代，8英寸晶圓也在研制過程中，國產替代進程講持續(xù)突破。 碳化硅市場產業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產、碳化硅器件研發(fā)和裝備封裝測試四個部分，分別占市場總成本的50%、25%、20%、5%，由于具備晶體生長過程繁瑣，晶圓切割困難等特點，碳化硅襯底的制造成本一直處于高位。目前高質量襯底的應用主要集中于WolfSpeed、II-VI、RO
- Wolfspeed宣布斥巨資擴產碳化硅晶圓產能[ 09-15 16:27 ]
- 9月9日，碳化硅半導體技術全球領導者Wolfspeed宣布將在北卡羅來納州投建200mm（8吋）碳化硅晶圓項目，一期投資13億美元，預計2024年投產；二期預計投資48億美元，到2030年投產，投資目標是使Wolfspeed達到目前產能的十倍。 Wolfspeed首席執(zhí)行官GreggLowe表示，碳化硅芯片能夠在500華氏度以上運行，電壓大約是傳統(tǒng)硅片可以處理的10倍，基于碳化硅的芯片已在電動汽車中找到一席之地，它們用于逆變器——該組件的作用是將電力從汽車電池傳輸?shù)绞管囕嗈D動的電機。L
- 碳化硅器件工藝難點在哪里？[ 09-14 17:19 ]
- 襯底片完了之后就是長外延，外延之后就是一系列的光刻，刻蝕，涂膠，沉積，清洗，離子注入等工藝，和硅工藝基本一致，然后就是后道的晶圓切die，封裝測試等，基本流程和硅差不多。 其中長外延，光刻膠，背面退火，刻蝕，以及氧化柵極工藝區(qū)別，歐姆接觸和硅工藝區(qū)別非常大。 硅的外延工藝就是普通的硅外延爐之類價格也很便宜國產的大約400-500萬一臺（8英寸的）；碳化硅的是特殊的MOCVD/HT-CVD，且價格非常貴，基本要800-1500萬人民幣一臺，而且產能很低，一臺爐子一個月產能是30片。 外延爐主要是國外
