聯(lián)系金蒙新材料
- 為什么碳化硅晶圓成本高？[ 09-13 16:14 ]
- 碳化硅的長晶技術(shù)大致有三種，PVT物理氣相傳輸法，HT-CVD高溫氣相沉積法，以及LPE溶液法。 其中PVT比較主流，優(yōu)點是簡單，可靠，成本可控。CVD對設(shè)備要求太高，價格很貴，只有高質(zhì)量的半絕緣襯底會用這個方法；LPE溶液法能做天然P型襯底，但是缺陷很難控制，還需要時間積累，日本公司不少專注于這個路線。 以PVT法為例，這種方案下碳化硅生長速度只有硅材料生長速度的1/100都不到，144小時只有2cm左右的厚度，實在是太慢了，要想獲得更多的產(chǎn)量，只能靠長晶爐數(shù)量堆。 目前國外日新技研和PVATe
- 碳化硅現(xiàn)在面臨的缺點和掣肘是什么？[ 09-12 15:09 ]
- 碳化硅優(yōu)點很多，但是目前也僅僅是一個小汽車應(yīng)用場景上使用，還是無法大規(guī)模替代硅功率器件，業(yè)內(nèi)從技術(shù)和產(chǎn)業(yè)角度來理解有以下這些問題。 首先碳化硅這種材料，在自然界是沒有的，必須人工合成，結(jié)果必然是成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于可以自然開采的材料，而且碳化硅升華熔點約2700度，且沒有液態(tài)，只有固態(tài)和氣態(tài)，因此注定不能用類似拉單晶的切克勞斯基法（CZ法）制備，因此第一步晶體生長技術(shù)卡住了第一步也是最關(guān)鍵的一步，導(dǎo)致原材料價格過于昂貴。 因此碳化硅6英寸襯底高達(dá)1000美金，而6英寸硅片為23美金（150元），兩者實在差太多了
- 寬禁帶半導(dǎo)體材料的優(yōu)點[ 09-09 17:05 ]
- 碳化硅，氮化鎵有個很拉風(fēng)的名字叫寬禁帶半導(dǎo)體材料，國內(nèi)也叫第三代半導(dǎo)體。它特指禁帶寬度超過2.2eV的材料主要是碳化硅（3.2eV）和氮化鎵（3.34eV）；超過4.0eV叫超寬禁帶半導(dǎo)體材料，國內(nèi)叫第四代半導(dǎo)體材料，包括氮化鋁（AlN），金剛石（C），氧化鎵（Ga2O3）和氧化鋅（ZnO），就是上上周美國搞制裁的那個，有意思的是美國只禁了氧化鎵和金剛石，不提氮化鋁和氧化鋅，嘿嘿！說明他們這塊不行，氮化鋁可能還是日本和中國搞的出色些。 禁帶寬度物理意義是實際上是反映了價電子被束縛強弱程度的一個物理量，也就是產(chǎn)
- 三種生長SiC單晶用SiC粉體制備方法的優(yōu)缺點[ 09-08 17:45 ]
- 生長SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高，其中雜質(zhì)含量應(yīng)至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中，氣相法通過控制氣源中的雜質(zhì)含量可以獲得純度較高的SiC粉體；液相法中只有溶膠-凝膠法可以合成純度滿足單晶生長需要的SiC粉體；固相法中的改進(jìn)自蔓延高溫合成法是目前使用范圍最廣，合成工藝最成熟的SiC粉體的制備方法。 目前合成單晶生長用高純SiC的方法并不多，以CVD法和改進(jìn)的自蔓延合成法為主，其中氣相法合成的粉體多為納米級，生產(chǎn)效率低，無法滿足工業(yè)需求；同時，固相法制備過程的眾多雜質(zhì)中，N元素的含量一直
- 碳化硅晶圓生產(chǎn)用高純碳化硅粉制備方法[ 09-07 15:41 ]
- 生長SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高，其中雜質(zhì)含量應(yīng)至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中，氣相法通過控制氣源中的雜質(zhì)含量可以獲得純度較高的SiC粉體；液相法中只有溶膠-凝膠法可以合成純度滿足單晶生長需要的SiC粉體；固相法中的改進(jìn)自蔓延高溫合成法是目前使用范圍最廣，合成工藝最成熟的SiC粉體的制備方法。 一、氣相法 1.化學(xué)氣相沉積法（CVD法） CVD法是通過氣體的高溫反應(yīng)得到超細(xì)、高純的SiC粉體，其中Si源一般選擇SiH4和SiCl4等，C源一般選擇CH4、C2H2和CCl4等
