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- 碳化硅如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理？[ 12-20 14:41 ]
- 另一個(gè)重要參數(shù)是熱導(dǎo)率，它是半導(dǎo)體如何散發(fā)其產(chǎn)生的熱量的指標(biāo)。如果半導(dǎo)體不能有效散熱，則器件可以承受的最大工作電壓和溫度會(huì)受到限制。這是碳化硅優(yōu)于硅的另一個(gè)領(lǐng)域：碳化硅的導(dǎo)熱率為1490W/mK，而硅的導(dǎo)熱率為150W/mK。
- 為什么SiC在高頻下的表現(xiàn)優(yōu)于IGBT？[ 12-20 14:39 ]
- 在大功率應(yīng)用中，過(guò)去主要使用IGBT和雙極晶體管，目的是降低高擊穿電壓下出現(xiàn)的導(dǎo)通電阻。然而，這些設(shè)備提供了顯著的開(kāi)關(guān)損耗，導(dǎo)致發(fā)熱問(wèn)題限制了它們?cè)诟哳l下的使用。使用碳化硅可以制造肖特基勢(shì)壘二極管和MOSFET等器件，實(shí)現(xiàn)高電壓、低導(dǎo)通電阻和快速運(yùn)行。
- 為什么碳化硅能承受這么高的電壓？[ 12-20 14:35 ]
- 功率器件，尤其是MOSFET，必須能夠處理極高的電壓。由于電場(chǎng)的介電擊穿強(qiáng)度比硅高約十倍，SiC可以達(dá)到非常高的擊穿電壓，從600V到幾千伏。SiC可以使用比硅更高的摻雜濃度，并且漂移層可以做得非常薄。漂移層越薄，其電阻越低。理論上，給定高電壓，單位面積漂移層的電阻可以降低到硅的1/300。
- 為什么SiC在功率應(yīng)用中戰(zhàn)勝了Si？[ 12-20 14:32 ]
- 碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng)，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許SiC器件在高于硅的結(jié)溫下使用，甚至超過(guò)200°C。碳化硅在功率應(yīng)用中的主要優(yōu)勢(shì)是其低漂移區(qū)電阻，這是高壓功率器件的關(guān)鍵因素。 盡管是電子產(chǎn)品中使用最廣泛的半導(dǎo)體，但硅開(kāi)始顯示出一些局限性，尤其是在高功率應(yīng)用中。這些應(yīng)用中的一個(gè)相關(guān)因素是半導(dǎo)體提供的帶隙或能隙。當(dāng)帶隙很高時(shí)，它使用的電子設(shè)備可以更小、運(yùn)行得更快、更可靠。它還可
- 碳化硅在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用？[ 12-20 14:28 ]
- 碳化硅是一種非常適合電力應(yīng)用的半導(dǎo)體，這主要?dú)w功于它能夠承受高電壓，比硅可使用的電壓高十倍。 基于碳化硅的半導(dǎo)體具有更高的熱導(dǎo)率、更高的電子遷移率和更低的功率損耗。 碳化硅二極管和晶體管還可以在更高的頻率和溫度下工作，而不會(huì)影響可靠性。 SiC器件的主要應(yīng)用，例如肖特基二極管和FET/MOSFET晶體管，包括轉(zhuǎn)換器、逆變器、電源、電池充電器和電機(jī)控制系統(tǒng)。
