碳化硅作為強(qiáng)共價(jià)鍵化合物所具有的顯著特點(diǎn)[ 03-10 15:20 ]

碳化硅是一種強(qiáng)共價(jià)鍵化合物，具有以下顯著特點(diǎn)： 1）密度低、彈性模量高； 2）硬度高，耐磨損性能好； 3）化學(xué)穩(wěn)定性好，耐腐蝕性能優(yōu)異； 4）高溫強(qiáng)度高、抗蠕變性好； 5）電阻率可控，具有半導(dǎo)體特性； 6）熱膨脹系數(shù)低、熱導(dǎo)率高。

高導(dǎo)熱碳化硅陶瓷的需求量急劇增長(zhǎng)[ 03-02 09:19 ]

碳化硅作為一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料，憑借其優(yōu)異的高溫力學(xué)強(qiáng)度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導(dǎo)熱性、耐腐蝕性等性能，不僅應(yīng)用于高溫窯具、燃燒噴嘴、熱交換器、密封環(huán)、滑動(dòng)軸承等傳統(tǒng)工業(yè)領(lǐng)域，還可作為防彈裝甲材料、空間反射鏡、半導(dǎo)體晶圓制備中夾具材料及核燃料包殼材料。 隨著科技的不斷發(fā)展，碳化硅陶瓷在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用需求量急劇增長(zhǎng)，而高熱導(dǎo)率是其應(yīng)用于半導(dǎo)體制造設(shè)備元器件的關(guān)鍵指標(biāo)，因此加強(qiáng)高導(dǎo)熱碳化硅陶瓷的研究至關(guān)重要。減少晶格氧含量、提高致密性、合理調(diào)控第二相在晶格中的分布方式是提高碳化硅陶瓷熱導(dǎo)率的主要方法

碳化硅技術(shù)在家電行業(yè)的應(yīng)用[ 02-26 13:37 ]

回溯半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展歷程，大致分為3個(gè)時(shí)代。第一代半導(dǎo)體材料主要是硅和鍺，上世紀(jì)60年代之后，硅基半導(dǎo)體逐漸成為主流，直到現(xiàn)在依然是應(yīng)用最為廣泛的半導(dǎo)體材料，全球95%以上的芯片是以硅片為基礎(chǔ)材料制成的。第二代半導(dǎo)體材料的代表是砷化鎵，可以制造更高頻、高速的集成電路，但是以目前的需求來(lái)看，砷化鎵材料的禁帶寬度依然較小。第三代半導(dǎo)體材料是以碳化硅、氮化鎵為代表的材料，可以制備耐高壓、高頻的功率器件。這些材料中，碳化硅是綜合性能最好、商品化程度最高、技術(shù)最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，目前已經(jīng)在5G通信、PD快充、新能源汽車(chē)

碳化硅功率模塊的應(yīng)用[ 02-21 12:18 ]

碳化硅模塊是支撐各種工業(yè)應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)之一，相比傳統(tǒng)硅基IGBT功率模塊具有更高功率密度、更高可靠性、更高工作結(jié)溫、更低寄生電感、更低熱阻等特性。在需要提升系統(tǒng)功率密度、使用更高主開(kāi)關(guān)頻率的尖端電力電子設(shè)備的性能升級(jí)過(guò)程中，現(xiàn)有硅基IGBT配合硅基FRD（快恢復(fù)二極管）的性能已無(wú)法完全滿足要求，需要高性能與性?xún)r(jià)比兼具的主開(kāi)關(guān)器件。 隨著SiC技術(shù)的日趨成熟和商業(yè)化應(yīng)用，其獨(dú)特的耐高溫性能不斷加速推動(dòng)結(jié)溫從150℃邁向175℃，甚至已出現(xiàn)了200℃的產(chǎn)品。借助于這種獨(dú)特的高溫特性和低開(kāi)關(guān)損耗優(yōu)勢(shì)，可以為未來(lái)的高

燒結(jié)溫度對(duì)SiC多孔陶瓷性能的影響[ 02-20 08:36 ]

(1)XRD分析表明，隨著燒結(jié)溫度的升高，SiO2的特征衍射峰強(qiáng)度逐漸升高，在1690℃時(shí)SiO2的特征衍射峰強(qiáng)度最高，這是因?yàn)闊Y(jié)溫度較高導(dǎo)致了SiC表面發(fā)生了氧化反應(yīng)，形成了致密的氧化膜，包覆了SiC。 (2)氣孔率測(cè)試發(fā)現(xiàn)，隨著燒結(jié)溫度的升高，SiC多孔陶瓷的氣孔率呈現(xiàn)出先降低后增加的趨勢(shì)，在1660℃時(shí)氣孔率最低為32.1％。 (3)分析發(fā)現(xiàn)，在1600和1630℃下燒結(jié)的SiC多孔陶瓷中的小顆粒較多，且SiC多孔陶瓷的顆粒較為分散；隨著燒結(jié)溫度的升高，小顆粒相逐漸減少，斷面出現(xiàn)了較多的氣孔，且