碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體目前存在的問(wèn)題[ 05-14 15:50 ]

①大尺寸SiC單晶襯底制備技術(shù)仍不成熟。 目前國(guó)際上已經(jīng)開發(fā)出了8英寸SiC單晶樣品，單晶襯底尺寸仍然偏小、缺陷水平仍然偏高。并且缺乏更高效的SiC單晶襯底加工技術(shù)；p型襯底技術(shù)的研發(fā)較為滯后。 ②n型SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)有待進(jìn)一步提高。 ③SiC功率器件的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)尚未完全形成，尚不能撼動(dòng)目前硅功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)上的主體地位。 國(guó)際SiC器件領(lǐng)域：SiC功率器件向大容量方向發(fā)展受限制；SiC器件工藝技術(shù)水平比較低；缺乏統(tǒng)一的測(cè)試評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。 中國(guó)SiC功率器件領(lǐng)域存在以下3個(gè)方面差距：

多孔重結(jié)晶碳化硅陶瓷的制備與力學(xué)性能表征[ 05-09 16:20 ]

多孔重結(jié)晶碳化硅陶瓷(recrystallizedsiliconCarbides，RSiC)由于純度極高、不含晶界雜質(zhì)相而具有優(yōu)異的高溫力學(xué)性能、熱穩(wěn)定性、耐腐蝕性能、高熱導(dǎo)率以及較小的熱膨脹系數(shù)，作為高溫結(jié)構(gòu)材料廣泛用于航空航天等領(lǐng)域。而且由于燒結(jié)過(guò)程中不收縮，可以制備形狀復(fù)雜、精度較高的部件。 目前，針對(duì)RSiC的研究和應(yīng)用，一方面在于提高其致密度用于極端環(huán)境服役的高溫結(jié)構(gòu)材料，另一方面在于提高其氣孔率用于高溫過(guò)濾催化用的多孔結(jié)構(gòu)/功能材料。 高溫過(guò)濾催化用多孔材料，如用作柴油車尾氣顆粒物過(guò)濾器(Die

做一片八英寸SiC晶圓生產(chǎn)難點(diǎn)在哪？[ 05-07 16:27 ]

目前以硅基為材料的晶圓已經(jīng)開始從8英寸邁向了12英寸，硅晶圓的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)是否可以助力SiC晶圓向更大面積發(fā)展，與硅晶圓相比，SiC晶圓的生產(chǎn)難點(diǎn)又在哪里？   包括SiC在內(nèi)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈包括包括襯底→外延→設(shè)計(jì)→制造→封裝。其中，襯底是所有半導(dǎo)體芯片的底層材料，起到物理支撐、導(dǎo)熱、導(dǎo)電等作用；外延是在襯底材料上生長(zhǎng)出新的半導(dǎo)體晶層，這些外延層是制造半導(dǎo)體芯片的重要原料，影響器件的基本性能；設(shè)計(jì)包括器件設(shè)計(jì)和集成電路設(shè)計(jì)，其中器件設(shè)計(jì)包括半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、材

SiC外延生長(zhǎng)常見元素[ 04-18 16:40 ]

SiC外延生長(zhǎng)：常見元素 襯底： •用于電力電子的4H多型 •當(dāng)前晶圓直徑150mm和200mm •定向4°離軸 •雙面拋光 •在晶片的硅面上生長(zhǎng)的外延 •需要對(duì)硅表面進(jìn)行仔細(xì)的化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)以減少缺陷 生長(zhǎng)參數(shù)： •溫度~1650oC •壓力~50-100mbar •硅源 •碳源 •摻雜氣體 •C

SiC相對(duì)于Si器件的優(yōu)勢(shì)[ 04-17 15:34 ]

SiC相對(duì)于Si器件的優(yōu)勢(shì)： •SiC的寬帶隙允許更薄的外延層來(lái)阻擋給定的電壓 •較薄的漂移層降低了整體器件電阻 •更高的電子飽和速度允許更高頻率的運(yùn)行 •SiC的高導(dǎo)熱性允許器件在>200C的高溫下運(yùn)行