碳化硅功率器件的低雜散電感封裝技術(shù)介紹[ 09-01 16:56 ]

目前已有的大部分商用SiC器件仍采用傳統(tǒng)Si器件的封裝方式。傳統(tǒng)封裝技術(shù)成熟，成本低，而且可兼容和替代原有Si基器件。但傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)導(dǎo)致其雜散電感參數(shù)較大，在碳化硅器件快速開關(guān)過程中造成嚴(yán)重電壓過沖，也導(dǎo)致?lián)p耗增加及電磁干擾等問題。 而雜散電感的大小與開關(guān)換流回路的面積相關(guān)。其中，金屬鍵合連接方式、元件引腳和多個(gè)芯片的平面布局是造成傳統(tǒng)封裝換流回路面積較大的關(guān)鍵影響因素。消除金屬鍵合線可以有效減小雜散電感值，將其大小控制在5nH以下。下面就其中典型的封裝結(jié)構(gòu)分別進(jìn)行介紹。 ①單管翻轉(zhuǎn)貼片封裝 阿肯

什么是SiCf/SiC復(fù)合材料[ 08-30 16:24 ]

SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料是指在SiC陶瓷基體中引入SiC纖維作為增強(qiáng)材料，形成以引入的SiC增強(qiáng)纖維為分散相，以SiC陶瓷基體為連續(xù)相的復(fù)合材料。SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料保留了SiC陶瓷耐高溫、高強(qiáng)度、抗氧化、耐腐蝕、耐沖擊的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)兼具SiC纖維增強(qiáng)增韌作用，克服了SiC陶瓷斷裂韌性低和抗外部沖擊載荷性能差的先天缺陷。SiCf/SiC復(fù)合材料作為一種綜合性能優(yōu)異的高溫?zé)峤Y(jié)構(gòu)材料，在航空、航天、核能、汽車等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景，成為目前各個(gè)西方國家的研究熱點(diǎn)。

C/SiC陶瓷基復(fù)合材料應(yīng)用[ 08-29 17:21 ]

碳纖維不僅具有密度低、比強(qiáng)度高、耐磨、耐腐蝕、導(dǎo)電、導(dǎo)熱、摩擦系數(shù)低等特性，而且還具備十分優(yōu)異的高溫力學(xué)性能，其在惰性氣氛、2000℃以上環(huán)境中，力學(xué)性能仍然不下降。但其高溫抗氧化性較差，因此通常與金屬、陶瓷、樹脂等復(fù)合，制備應(yīng)用于航空航天、軍事工業(yè)等尖端技術(shù)領(lǐng)域的先進(jìn)復(fù)合材料。 在熱結(jié)構(gòu)陶瓷基復(fù)合材料領(lǐng)域中，碳化硅以其優(yōu)異的高溫力學(xué)性能（強(qiáng)度、抗氧化性、抗蠕變性等）、低的熱膨脹系數(shù)和摩擦系數(shù)、優(yōu)良的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性，成為基體材料的主要候選之一。然而SiC陶瓷的缺點(diǎn)是脆性較大。 C/SiC陶瓷基復(fù)合材料通過

SiC晶圓材料主要加工工藝[ 08-13 15:29 ]

碳化硅(SiC)材料具有尺寸穩(wěn)定性好、彈性模量大、比剛度大、導(dǎo)熱性能好和耐腐蝕等性能，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光學(xué)鏡面、機(jī)械密封等現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域，許多領(lǐng)域往往對其表面加工質(zhì)量有較高的要求，SiC的表面平坦化質(zhì)量直接影響制件性能，決定了制件的成品率。隨著SiC的應(yīng)用和發(fā)展逐步廣泛和深入，其加工精度要求日益增長。但SiC屬于典型的脆硬性材料，其平坦化加工時(shí)在力的作用下易產(chǎn)生微裂紋，亞表層缺陷多，使得該材料面臨加工效率低、加工困難及加工成本居高不下等問題，制約了其大規(guī)模應(yīng)用和推廣。 目前SiC材料加工工藝主要有以下幾道工序

Al2O3-SiC-C澆注料中碳氧化的問題[ 08-10 11:30 ]

高爐煉鐵是鋼鐵工業(yè)普遍采用的煉鐵工藝流程。在相當(dāng)長時(shí)間內(nèi)，高爐煉鐵仍將是煉鐵工藝的首*選。高爐出鐵溝是鐵水和爐渣熔化后的必要通道。高爐出鐵溝澆注料是保障高爐出鐵溝出鐵安全、穩(wěn)定、高效運(yùn)行的基礎(chǔ)，延長高爐出鐵溝澆注料的使用壽命可以有效降低煉鐵成本和提高生產(chǎn)效率。因此，它是煉鐵工藝中的基礎(chǔ)和關(guān)鍵耐火材料之一。 由于出鐵溝頻繁受到高溫鐵水和熔渣的機(jī)械沖蝕和侵蝕，所以出鐵溝澆注料必須具有優(yōu)良的抗熱沖擊性和抗渣性。Al2O3-SiC-C澆注料因具有良好的抗侵蝕性和抗熱震性等優(yōu)點(diǎn)，是當(dāng)今國內(nèi)外高爐出鐵溝工作襯的普遍選擇。Al