綠碳化硅微粉的特點[ 11-13 16:47 ]

 綠碳化硅微粉的原材料是很好大結(jié)晶碳化硅塊，經(jīng)過粉碎、顆粒整形、酸洗水分、精密分級，然后自然沉降后經(jīng)高溫烘干而成，綠碳化硅微粉品質(zhì)穩(wěn)定、無大顆粒、細粒含量少等優(yōu)點。那么綠碳化硅的特點都有哪些呢？下面金蒙小編為大家介紹下。 綠碳化硅微粉的特點 1.高純度 綠碳化硅微粉具有極高的碳化硅純度，通常純度在99%以上，幾乎不含游離硅或其他雜質(zhì)。這種高純度使其在加工過程中更具穩(wěn)定性，減少了因雜質(zhì)產(chǎn)生的污染和損耗，非常適用于對純度要求較高的精密加工領(lǐng)域。 2.高硬度和耐磨性 綠碳化硅的莫氏硬度約為

國內(nèi)碳化硅功率器件離正式量產(chǎn)還有一段距離[ 09-22 16:16 ]

碳化硅生產(chǎn)過程主要包括碳化硅單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟，對應(yīng)的是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件三大環(huán)節(jié)。 我們把SiC器件發(fā)展分為三個發(fā)展階段，2019-2021年初期，特斯拉等新能源汽車開始試水搭載SiC功率器件；2022-2023年為拐點期，SiC在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用已經(jīng)達到了批量生產(chǎn)的臨界區(qū)域，并且充電基礎(chǔ)設(shè)施、5G基站、工業(yè)和能源等應(yīng)用逐步采用SIC器件；2024-2026年為爆發(fā)期，SIC加速滲透，在新能源汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、5G基站、工業(yè)和能源等得到廣泛應(yīng)用。 當前，碳化硅MOS

國內(nèi)碳化硅外延的難點[ 09-21 15:14 ]

當前外延主要以4英寸及6英寸為主，大尺寸碳化硅外延片占比逐年遞增。碳化硅外延尺寸主要受制于碳化硅襯底尺寸，當前6英寸碳化硅襯底已經(jīng)實現(xiàn)商用，因此碳化硅襯底外延也逐漸從4英寸向6英寸過渡。在未來幾年里，大尺寸碳化硅外延片占比會逐年遞增。由于4英寸碳化硅襯底及外延的技術(shù)已經(jīng)日趨成熟，因此，4英寸碳化硅外延晶片已不存在供給短缺的問題，其未來降價空間有限。此外，雖然當前國際先進廠商已經(jīng)研發(fā)出8英寸碳化硅襯底，但其進入碳化硅功率器件制造市場將是一個漫長的過程，隨著8英寸碳化硅外延技術(shù)的逐漸成熟，未來可能會出現(xiàn)8英寸碳化硅功率

國內(nèi)碳化硅襯底的難點[ 09-20 16:11 ]

當前，國內(nèi)廠商碳化硅襯底生產(chǎn)的技術(shù)指標與國際主流廠商相比仍有明顯差距。碳化硅襯底正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展，目前行業(yè)內(nèi)公司主要量產(chǎn)襯底尺寸集中在4英寸及6英寸。在最新技術(shù)研發(fā)儲備上，以行業(yè)領(lǐng)先者WolfSpeed公司的研發(fā)進程為例，WolfSpeed公司已成功研發(fā)8英寸產(chǎn)品。為提高生產(chǎn)效率并降低成本，大尺寸是碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向，襯底尺寸越大，單位襯底可制造的芯片數(shù)量越多，單位芯片成本越低；襯底的尺寸越大，邊緣的浪費就越小，有利于進一步降低芯片的成本。由于現(xiàn)有的6英寸的硅晶圓產(chǎn)線可以升級改造用于生產(chǎn)Si

碳化硅功率器件的性能優(yōu)勢[ 09-19 17:07 ]

碳化硅在半導(dǎo)體中存在的主要形式是作為襯底材料，基于其優(yōu)良的特性，碳化硅襯底的使用極限性能優(yōu)于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應(yīng)用需求，當前碳化硅襯底已應(yīng)用于射頻器件及功率器件。碳化硅器件優(yōu)點如下： （1）耐高壓。擊穿電場強度大，是硅的10倍，用碳化硅制備器件可以極大地提高耐壓容量、工作頻率和電流密度，并大大降低器件的導(dǎo)通損耗。所以在實際應(yīng)用過程中，與硅基相比可以設(shè)計成更小的體積，約為硅基器件的1/10。 （2）耐高溫。半導(dǎo)體器件在較高的溫度下，會產(chǎn)生載流子的本征激發(fā)現(xiàn)象，造成器件失效。