碳化硅晶片簡(jiǎn)單介紹[ 01-28 15:59 ]

碳化硅晶片的主要應(yīng)用領(lǐng)域有LED固體照明和高頻率器件。該材料具有高出傳統(tǒng)硅數(shù)倍的禁帶、漂移速度、擊穿電壓、熱導(dǎo)率、耐高溫等優(yōu)良特性，在高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗輻射、微波性等電子應(yīng)用領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用有著不可替代的優(yōu)勢(shì)。國內(nèi)獨(dú)家碳化硅單晶供應(yīng)商，在研發(fā)、技術(shù)、市場(chǎng)開發(fā)及商業(yè)運(yùn)作等方面處絕對(duì)領(lǐng)先地位，已成功掌握76mm（3英寸）超大寶石級(jí)SiC2晶體生長(zhǎng)核心技術(shù)工藝，達(dá)到國際2001年先進(jìn)水平。

實(shí)現(xiàn)強(qiáng)國夢(mèng) 突破碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)[ 10-09 16:29 ]

美國總統(tǒng)奧巴馬兩次訪問美國碳化硅半導(dǎo)體的領(lǐng)軍企業(yè)，不久前更是親自發(fā)起成立美國碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，設(shè)立專項(xiàng)資金支持全產(chǎn)業(yè)鏈快速突破發(fā)展。1.4億美元的總支持額用于提升美國在該新興產(chǎn)業(yè)方面的國際競(jìng)爭(zhēng)力。日本政府則將發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)列入“首相計(jì)劃”，認(rèn)為未來日本50%以上的節(jié)能將由碳化硅實(shí)現(xiàn)。

3D打印材料碳化硅[ 08-30 18:59 ]

美國斯坦福大學(xué)本周披露的最新研究成果顯示，通過添加納米原子，碳化硅超穎材料可以達(dá)到"真正隱形"；而此前，作為下一代3D打印材料，碳化硅在美國已經(jīng)進(jìn)入商用階段。美股碳化硅公司科銳今年股價(jià)已接近翻番。隨著科研究的不斷突破

線切割用碳化硅微粉[ 08-30 18:48 ]

由于線切割產(chǎn)品的特殊性，對(duì)切割環(huán)境，切割參數(shù)，及對(duì)輔料物理、化學(xué)各項(xiàng)指標(biāo)都要求非常嚴(yán)；結(jié)合我廠的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，提供以下幾點(diǎn)參考信息

碳化硅行業(yè)動(dòng)態(tài)[ 08-30 18:43 ]

碳化硅市場(chǎng)不可能像日常消費(fèi)品那樣只靠降價(jià)就能擴(kuò)大需求量和大幅度提高企業(yè)的市場(chǎng)占有率。市場(chǎng)規(guī)模受光伏裝機(jī)速度的制約，不可能依靠降價(jià)就能擴(kuò)大市場(chǎng)總體規(guī)模。瘋狂降價(jià)只能導(dǎo)致整個(gè)行業(yè)的虧損