據粉體圈消息：5月23日,昭和電工（SDK）提出的“8英寸SiC晶圓技術開發(fā)計劃”被日本新能源和工業(yè)技術開發(fā)組織(NEDO)選定為“綠色創(chuàng)新基金項目”。而就在今年3月，昭和電工剛剛宣布正式量產直徑6英寸(150mm)的碳化硅晶圓。

2020年10月，日本政府宣布其目標是到2050年實現碳中和。能源、貿易和工業(yè)部(METI)為此設立2萬億日元的綠色創(chuàng)新基金，并由NEDO出面對創(chuàng)新進行相應的投資。

作為獨立的SiC外延片供應商，SDK為功率器件制造商提供BestinClassSiC外延片，全球市場占有率領先。在該項目中，SDK計劃利用其知識產權組合和開發(fā)專長，開發(fā)直徑為8英寸的SiC外延片，并將缺陷密度降低至少一個數量級，從而降低下一代電源的生產成本半導體。在該項目的九年實施期間（從2022財年到2030財年），SDK旨在與日本國家先進工業(yè)科學技術研究所（AIST）合作開發(fā)技術以加快SiC塊狀單晶的生長速度。