近日，英飛凌宣布在其現(xiàn)有的高壓碳化硅(SiC)MOSFETCoolSic系列中增加一個(gè)650V系列。

該產(chǎn)品建立在其先進(jìn)的SiC溝槽技術(shù)之上。與上一代硅(Si)半導(dǎo)體相比，這些650V系列MOSFET的反向恢復(fù)電荷(Qrr)和漏源電荷(Qoss)降低了80%，即使在較高電流下也能實(shí)現(xiàn)出色的開(kāi)關(guān)性能。這些降低的開(kāi)關(guān)損耗允許高頻、高效操作，從而能夠使用更小的濾波組件，并最終提高功率密度。