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碳化硅作為半導體材料的特點
文章出處：原創(chuàng)網(wǎng)責任編輯：王龍作者：王龍人氣：-發(fā)表時間：2017-03-21 07:52:00
眾所周知，碳化硅是目前半導體界公認的一種具有較高開發(fā)潛力的新式半導體材料。金蒙新材料公司所生產(chǎn)的碳化硅微粉屬于典型寬禁帶半導體，與其他材料相比具有很多優(yōu)秀的物理特性。
大家通常認識一般就是碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶), 達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3 倍,高達3.2MV/cm.，其導熱率是硅的3.3倍,為 49w/cm.k。
碳化硅與硅半導體材料一樣，可以制成結(jié)型器件、場效應(yīng)器件和金屬與半導體接觸的肖特基二極管。
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