近年來(lái)，我國(guó)逐步實(shí)現(xiàn)了碳化硅功率器件的國(guó)產(chǎn)化，作為有較廣開(kāi)展?jié)摿Φ男率桨雽?dǎo)體材料的碳化硅，受到越來(lái)越多的企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)的認(rèn)可，并通過(guò)相關(guān)企業(yè)的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。
  眾所周知，目前市場(chǎng)上所采用的功率模塊中的IGBT芯片等大多數(shù)都是采用硅材料制造的，與Si相比，碳化硅材料的禁帶寬度是Si的3-5倍，臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度更是Si的10倍以上，電子飽和速率也是Si的2倍。
  因而與傳統(tǒng)的Si功率器件相比，利用碳化硅微粉材料制作而成的功率器件具有關(guān)斷拖尾電流極小、開(kāi)關(guān)速度快、損耗低、耐高溫的特性。
  同時(shí)，由于采用SIC功率器件開(kāi)發(fā)電力電子變流器，能提高功率密度，縮小裝置體積;提升變流器效率;提高開(kāi)關(guān)頻率，縮小濾波器體積;確保高溫環(huán)境下運(yùn)行的可靠性;還易于實(shí)現(xiàn)高電壓大功率的設(shè)計(jì)。因此碳化硅功率器件被越來(lái)越多地廣泛用于節(jié)能、高頻和高溫等三大電力電子系統(tǒng)領(lǐng)域。