CVD法制備碳化硅纖維最早是在1972年由美國的AVCO公司研發(fā)，也是早期生產(chǎn)碳化硅纖維復(fù)合長單絲的方法?；瘜W(xué)氣相沉積法制備碳化硅纖維的基本原理就是在連續(xù)的鎢絲或碳絲芯材上沉積碳化硅。該方法的制備過程中，利用碳絲更為合適。一方面，碳的質(zhì)量比鎢的質(zhì)量小，可以制得更輕的碳化硅纖維；另一方面，鎢與碳化硅會發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，使得在高溫環(huán)境下碳化硅纖維的強(qiáng)度變差。在碳絲上沉積碳化硅能夠得到更穩(wěn)定的碳化硅纖維及其復(fù)合材料。

　　CVD法制備的碳化硅纖維的純度比較高，因此纖維在高溫下的強(qiáng)度、抗蠕變、穩(wěn)定性等性能良好。但是，與先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法相比，CVD法制備的碳化硅纖維直徑較大，無法進(jìn)行編織，因此在利用纖維制成復(fù)合材料時比較困難。

　　美國AVCO公司于1985年被美國TEXTRON SYSTEMS公司收購，目前TEXTRON SYSTEMS公司是世界上研發(fā)利用CVD法制備碳化硅纖維及其復(fù)合材料最著名公司之一，它的代表性產(chǎn)品是SCS系列。早在1990年，我國中國科學(xué)院金屬研究所的石南林等研制出采用射頻加熱的方式，以CVD法制備出連續(xù)碳化硅纖維。該研究在碳化硅纖維的表面涂上一層保護(hù)層，緩解了碳化硅纖維的表面損傷敏感性，從而提高了纖維的性能。隨后，1996年中國科學(xué)院山西煤炭化學(xué)研究所的鄭敏等也利用類似的方法成功制得碳化硅纖維，并分析了制備過程中不同參數(shù)對制成碳化硅纖維的性能的影響。由于利用CVD法制備碳化硅纖維的設(shè)備成本較高，并且生產(chǎn)效率較低，該方法在實現(xiàn)碳化硅纖維工業(yè)化生產(chǎn)的過程中逐漸被淘汰。