碳化硅陶瓷幾種制備方法
由于碳化硅陶瓷的各種優(yōu)良性能,所以對碳化硅陶瓷的開發(fā)和研制也是非常多的,幾種制備碳化硅陶瓷的方法。
(1)熱壓碳化硅陶瓷 雖然在2000度以上的溫度和350MPa以上的壓力可以使純SIC熱壓致密,但是通常還是采用加入添加劑的方法。熱壓添加劑有兩類:一類與碳化硅中的雜質形成液相,通過液相促進燒結;一類是與SiC形成固溶體降低晶界能促進燒結。
(2)常壓碳化硅陶瓷常壓燒結碳化硅也命名為無壓燒結碳化硅,在燒結到2100度以上的溫度下,生成高純度、高致密的碳化硅陶瓷。
(3)反應碳化硅陶瓷 反應燒結碳化硅又稱為自結合SIC。將碳化硅粉和石墨粉按一定的比例混合壓成坯體塊,加熱到1650度左右,通過氣相與C反應生成。
山東金蒙新材料股份有限公司(原金蒙碳化硅)有著11年專業(yè)碳化硅的生產經驗,在碳化硅陶瓷中占有70%的份額,成為碳化硅陶瓷生產廠家的首選,充分滿足廣大企業(yè)的各種生產需要。
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