碳化硅是一種寬帶隙半導體材料，也是目前發(fā)展最為成熟的第三代半導體材料，具有優(yōu)良的熱學、力學、化學和電學性質，不但是制作高溫、高頻、大功率電子器件的最佳材料之一，同時又可以用作基于氮化鎵的藍光發(fā)光二極管的襯底材料，可廣泛應用在電力電子領域、微波器件領域和LED光電子領域，使用碳化硅可以承受更高電源、更大電路、耗盡層可以做的更薄，因而工作速度更快、器件體積更小、重量更輕。

　　在市面上一般有三種材料可作為襯底：藍寶石、硅、碳化硅。其中藍寶石是使用最多的沉底材料，具有生產技術成熟、器件質量較好、穩(wěn)定性好、機械強度高、易于處理和清洗等優(yōu)點。但它也有許多不能克服的缺點：第一，晶格失配和熱應力失配會導致外延層中產生大量缺陷，同時給后續(xù)器件加工工藝造成困難;第二，藍寶石是絕緣體，電阻率很大，無法制成垂直結構的器件;第三，通常在外延層上表面制作N型和P型電極，造成了有效發(fā)光面積減少，材料利用率降低;第四，藍寶石的硬度非常高，僅次于金剛石，難以對它進行薄化和切割;第五，藍寶石導熱性能不是很好，因此在使用半導體照明器件時，會傳導出大量的熱量，對面積較大的大功率器件，導熱性能是一個非常重要的考慮因素。