眾所周知，SiC材料具有許多重要特性：其擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅材料的10倍左右，最高結(jié)溫可達(dá)600℃……因此，SiC器件結(jié)構(gòu)具有天生的耐高溫能力，在真空條件下耐壓甚至可達(dá)400至600℃。SiCMOSFET自身?yè)p耗小，發(fā)熱量小，自身溫升相對(duì)較小。“SiC的導(dǎo)熱率比硅更好，（大約是硅的三倍），熔點(diǎn)更高（2830℃，而硅是1410℃），所以本質(zhì)上SiC的耐受溫度比硅高出很多。”所以，SiC更適合高溫工作環(huán)境。

2010年5月，一家頭部公司稱其新技術(shù)顯著提高了IGBT模塊壽命10倍，輸出功率可以增加25%，支持高達(dá)200℃結(jié)溫。如果硅器件也能夠這樣，我們也就不會(huì)在這里討論SiC結(jié)溫了。

事實(shí)上，150℃結(jié)溫仍是SiC目前的最高標(biāo)準(zhǔn)，175℃結(jié)溫等級(jí)剛開(kāi)始嶄露頭角，封裝也在準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)化階段，耐針對(duì)200℃乃至更高結(jié)溫對(duì)封裝材料和工藝的要求十分嚴(yán)苛，且必須根據(jù)片芯特征進(jìn)行定制設(shè)計(jì)，才能滿足更高的導(dǎo)熱和散熱性要求。

從應(yīng)用角度看，MOSFET、IGBT，包括SiCMOSFET器件數(shù)據(jù)表載明的最高結(jié)溫就是175℃。最高結(jié)溫受芯片和封裝的影響。結(jié)溫從125℃提高到150℃，花了約20年時(shí)間；從150℃提高至175℃，又是差不多10年，業(yè)界曾認(rèn)為到2020年，200℃器件就可以市場(chǎng)化，但是并沒(méi)有實(shí)現(xiàn)。

有沒(méi)有必要提高結(jié)溫？上面說(shuō)過(guò)，現(xiàn)在硅和SiC器件的最高結(jié)溫也就是175℃，是否有必要提高結(jié)溫呢？相關(guān)業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為：“讓SiC方案的額定溫度超過(guò)175℃是實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品差異化的重要因素。這需要增加SiC產(chǎn)品的安全工作區(qū)（SOA）。另一方面，由于缺乏可用的通用封裝材料，高額定溫度的封裝離實(shí)現(xiàn)還有很長(zhǎng)的路要走。”