β-SiC（立方SiC）具有優(yōu)良的物理化學性能，具有高強度、高硬度、高熱導率、高燒結活性、高半導體特性和低熱膨脹系數(shù)。其硬度與金剛石接近，俗稱金剛砂；對樣品進行拋光，拋光性能遠超白剛玉和α-SiC（黑碳化硅和綠碳化硅），樣品表面粗糙度良好；β-SiC由于晶粒中電子空穴缺陷較多、其禁帶寬度小于α-SiC，因此導電性比α-SiC的高幾倍；β-SiC具有優(yōu)良的熱導率和低熱膨脹系數(shù)，使得其在加熱和冷卻過程中受到的熱應力很小。

β-SiC的基本性質表

對SiC多形體的量子計算指出，β-SiC(3C)屬于面心立方結構，是低溫型穩(wěn)定相，在1600℃左右即可發(fā)生β-SiC向α-SiC的相變；低溫下，β-SiC是一種亞穩(wěn)定相，穩(wěn)定相應該是2Hα-SiC，之所以β-SiC(3C)在低溫下穩(wěn)定存在，主要是雜質的作用。在密度方面，β-SiC比大多數(shù)合金小一半，為鋼的40%，與鋁大致相同。

β-SiC（立方SiC）制備的方法有多種：激光法、等離子法和固相合成法。激光法、等離子法工藝主要合成納米及亞微米粉體，且由于合成時間短，無法做到顆粒的真正致密，且顆粒純度相對不高；固相合成法工藝方式較多，但都具有一定技術難度，就國際行業(yè)調查來看，真正做到高結晶、高純度、批量化的全球范圍內只有少數(shù)企業(yè)做到，并已進入市場多年，其他廠家大多停留在理論或實驗階段，產(chǎn)品大多存在β相含量不高、產(chǎn)品雜質多、難以批量生產(chǎn)等多項缺點。