金蒙新材料公司從新材料在線行業(yè)網(wǎng)站獲悉：近日，中科院物理研究所成功研制6英寸碳化硅單晶襯底。

　　眾所周知，碳化硅單晶是一種寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大，臨界擊穿場強大，熱導率高，飽和漂移速度高等諸多特點，被廣泛應(yīng)用于制作高溫、高頻及大功率電子器件。此外，由于碳化硅和氮化鎵的晶格失配小，碳化硅單晶是氮化鎵基LED、肖特基二極管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想襯底材料。為降低器件成本，下游產(chǎn)業(yè)對碳化硅單晶襯底提出了大尺寸的要求，目前國際市場上已有6英寸(150毫米)產(chǎn)品，預計市場份額將逐年增大。

　　中國科學院物理研究所專家團隊通過長期以來的摸索和實驗，特別是通過不斷的自主創(chuàng)新，獲得了關(guān)于碳化硅單晶生長設(shè)備、晶體生長和加工技術(shù)等一整套自主知識產(chǎn)權(quán)。為將來此類產(chǎn)品的國產(chǎn)化大批量產(chǎn)打下堅實基礎(chǔ)。