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國產(chǎn)6英寸碳化硅晶片已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

文章出處:原創(chuàng)網(wǎng)責(zé)任編輯:楊麗君作者:彭國臣人氣:-發(fā)表時(shí)間:2015-01-15 15:31:00【

  金蒙新材料公司從相關(guān)渠道獲悉,天科合達(dá)與中科院專家合作研究,成功研制出了6英寸碳化硅單晶襯底,并且形成了一條年產(chǎn)7萬片碳化硅晶片的生產(chǎn)線。

  眾所周知,硅和鍺構(gòu)成了第一代半導(dǎo)體材料,直到現(xiàn)在我們使用的半導(dǎo)體產(chǎn)品大多依然是基于硅材料的。隨后,砷化鎵、磷化銦逐漸成為第二代半導(dǎo)體材料被用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件,從而被廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通訊、移動(dòng)通訊、光通信和GPS導(dǎo)航等領(lǐng)域。

  目前,以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料通常又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料或高溫半導(dǎo)體材料。碳化硅單晶是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有禁帶寬度大,臨界擊穿場強(qiáng)大,熱導(dǎo)率高,飽和漂移速度高等諸多特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于制作高溫、高頻及大功率電子器件。

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