復(fù)雜結(jié)構(gòu)碳化硅陶瓷未來(lái)發(fā)展領(lǐng)域
隨著科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展,碳化硅陶瓷的應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)一步拓寬,但特殊的使用工況也對(duì)SiC陶瓷制品的形狀復(fù)雜性提出了更高的要求。例如:在航空航天領(lǐng)域,為了提高光學(xué)系統(tǒng)的分辨率,碳化硅陶瓷反射鏡必須滿足口徑大、質(zhì)量小的要求,因此反射鏡的減重設(shè)計(jì)越來(lái)越復(fù)雜;在集成電路領(lǐng)域,碳化硅陶瓷作為集成電路裝備關(guān)鍵組成部分,其結(jié)構(gòu)復(fù)雜,精度要求極高;在化工醫(yī)藥領(lǐng)域,碳化硅陶瓷可以用于制作能進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)的三維結(jié)構(gòu)微反應(yīng)器元件,結(jié)構(gòu)極其復(fù)雜。
由此可見,復(fù)雜結(jié)構(gòu)碳化硅陶瓷在現(xiàn)代科技的發(fā)展中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。SiC陶瓷常用的燒結(jié)工藝有無(wú)壓燒結(jié)、反應(yīng)燒結(jié)、熱壓燒結(jié)和熱等靜壓燒結(jié)等,而制備高致密度、高性能要求的SiC陶瓷制品通常需采用熱壓和熱等靜壓等成型工藝。為滿足碳化硅陶瓷的復(fù)雜結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)要求,優(yōu)化碳化硅陶瓷的制備工藝、實(shí)現(xiàn)近凈成型制備是關(guān)鍵,為此,將合適的成型技術(shù)與燒結(jié)技術(shù)科學(xué)的組合起來(lái)非常重要。
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