德智新材投資2.5億半導體用碳化硅蝕刻環(huán)項目完成主體工程建設
據(jù)粉體圈消息:近日,在新馬工業(yè)園內(nèi),湖南德智新材料有限公司半導體用碳化硅蝕刻環(huán)項目完成了主體工程建設,并預計在明年初投產(chǎn),一項“卡脖子”的高精尖技術(shù),即將在株洲順利實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
SiC刻蝕環(huán)是半導體材料在等離子刻蝕環(huán)節(jié)中的關鍵耗材,在半導體芯片產(chǎn)業(yè)鏈上是一種不可或缺的重要材料。SiC刻蝕環(huán)對純度要求極高,因此只能采用CVD工藝進行生長SiC厚層塊體,隨后經(jīng)精密加工而制得,主要用于半導體刻蝕工藝的制備環(huán)節(jié)。長期以來,圍繞半導體及其配套材料的發(fā)展一直是我國生產(chǎn)制造中的薄弱環(huán)節(jié),但因其技術(shù)壁壘高,長期被美、日、德等國所壟斷,一直是被“卡脖子”的關鍵材料之一。
2018年,德智新材落戶動力谷自主創(chuàng)新園。隨后,其自主設計的國內(nèi)最大化學氣相沉積設備完成調(diào)試投入使用。這個設備能在高溫、高真空環(huán)境下合成鏡面納米碳化硅涂層。目前,“德智新材”成為國內(nèi)最大單晶太陽能生產(chǎn)企業(yè)——隆基股份等龍頭企業(yè)的供貨商,并與吉林大學、中南大學等知名高校建立長期合作關系。
“該項目對于國內(nèi)外的該產(chǎn)品領域來說,都有著一定的前瞻性和拓展性。”業(yè)內(nèi)人士分析認為,此項目技術(shù)含量高、成長能力強、經(jīng)濟效益好,對突破國外的技術(shù)封鎖,進一步推動國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級、壯大株洲經(jīng)濟規(guī)模具有十分重大的意義。
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